最新半导体制造工艺第10章-平-坦-化教学讲义PPT课件.ppt

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1、半导体制造工艺第10章-平-坦-化第10章　平　坦　化第10章　平　坦　化10.1　概述10.2　传统平坦化技术10.3　化学机械平坦化10.4　CMP质量控制10.1　概述1)平滑处理：平坦化后使台阶圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著减小，如图10-3b所示。2)部分平坦化：平坦化后使台阶圆滑，且台阶高度局部减小，如图10-3c所示。3)局部平坦化：使硅片上的局部区域达到平坦化。4)全局平坦化：使整个硅片表面总的台阶高度显著减小，使整个硅片表面平坦化，如图10-3e所示。10.2　传统平坦化技术10.2.1　反刻反刻平坦化是在起伏的硅片表面旋

2、涂一层厚的介质材料或其他材料（如光刻胶或SOG），这层材料可以填充空洞和表面的低处，将作为平坦化的牺牲层，如图10⁃4a所示。然后用干法刻蚀技术进行刻蚀，利用高处刻蚀速率快，低处刻蚀速率慢来实现平坦化。当被刻蚀的介质层达到希望的厚度时刻蚀停止，这样把起伏的表面变得相对平滑，实现了局部平坦化，如图10⁃4b所示。图10-4　反刻平坦化10.2　传统平坦化技术10.2.2　玻璃回流玻璃回流是对作为层间介质的硼磷硅玻璃（BPSG）或其他的掺杂氧化硅膜层进行加热升温，使玻璃膜层发生流动来实现平坦化的技术，如图10⁃5所示。一般，BPSG在氮气环境中

3、，在850℃加热30min就发生流动，这样可使台阶处变成斜坡。玻璃回流不能满足深亚微米IC的平坦化要求。图10-5　玻璃回流10.2　传统平坦化技术10.2.3　旋涂玻璃法旋涂玻璃法(SpinOnGlass)主要是在起伏的硅片表面旋涂含有溶剂的液体材料，这样表面低处和缝隙将被填充，然后进行烘烤固化，使溶剂蒸发，即可获得表面形貌的平滑效果，如图10⁃6所示。图10-6　旋涂玻璃法10.3　化学机械平坦化图10-7　化学机械平坦化原理图10.3　化学机械平坦化10.3.1　CMP优点和缺点1.优点1)能获得全局平坦化。2)对于各种各样的硅片表面

4、都能平坦化。3)可对多层材料进行平坦化。4)减小严重的表面起伏，使层间介质和金属层平坦，可以实现更小的设计图形，更多层的金属互连，提高电路的可靠性、速度和良品率。5)解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。6)通过减薄表层材料，可以去掉表面缺陷。7)CMP是湿法研磨，不使用干法刻蚀中常用的危险气体。8)CMP可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。10.3　化学机械平坦化2.缺点1)影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。2)CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。3)需要配套的设备、材料、工艺控制技术，这是一个需要开发、提高的

5、系统工程。4)设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。10.3　化学机械平坦化10.3.2　CMP机理CMP工作原理是将硅片固定在抛光头的最下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶

6、入流动的液体中带走，即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的，如图10⁃8所示。10.3　化学机械平坦化图10-8　CMP具体步骤1)化学过程：研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；2)物理过程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。10.3　化学机械平坦化1.CMP机理模型(1)Preston方程　从微观上来看，抛光同时是机械摩擦作用也是化学行为，理想的情况是化学作用速率和机械磨除速率相等，但这很难达到。(2)Cook的模型　Cook模型仅适用于单纯的硅片抛光，是目前描述

7、抛光最详细的模型。2.CMP主要参数(1)平均磨除率(MRR)在设定时间内磨除材料的厚度是工业生产所需要的。(2)CMP平整度与均匀性　平整度是硅片某处CMP前后台阶高度之差占CMP之前台阶高度的百分比。10.3　化学机械平坦化图10-9　硅片平整度的测量(3)选择比　在CMP中，对不同材料的抛光速率是影响硅片平整性和均匀性的一个重要因素。10.3　化学机械平坦化图10-10　CMP选择比应用10.3　化学机械平坦化图10-11　阻挡层(4)表面缺陷　CMP工艺造成的硅片表面缺陷一般包括擦伤或沟、凹陷、侵蚀、残留物和颗粒污染。1)硅片表面上

8、的擦痕或沟。10.3　化学机械平坦化图10-12　CMP微擦痕造成的钨塞间的短路10.3　化学机械平坦化图10-13　大图形中的CMP凹陷现象3)侵蚀。图10-14　高密度图形区