最新口腔颌面部检查教学讲义ppt课件.ppt

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1、口腔颌面部检查口腔检查的概念根据采集的病史和运用各种检查方法了解致病原因，掌握病情的发生、发展过程，作为诊断和治疗口腔疾病的依据（整体观念）3一、口腔内常规检查二、颌面部常规检查第一节口腔颌面部常规检查常规检查方法1.问诊(interrogation)：主诉:症状﹑部位和时间.现病史:发病的诱因﹑时间﹑症状﹑发生和发展﹑治疗经过和效果﹑伴随症状.既往史:健康状况﹑过敏﹑嗜好﹑生活习惯.家族史:有无类似疾病的发生.有无遗传病或传染病.2.视诊(inspection)：主诉部位其它部位。内容：牙齿、牙龈、口腔粘膜、舌、唾液腺导管口3.探诊

2、(exploration,probing)龋牙周窦道10水平叩诊:牙周膜垂直叩诊:根尖周:急性剧痛慢性轻痛4.叩诊(percussion)5.触诊(palpation)：压疼或创伤性咬合牙齿松动度检查：前牙→切缘后牙→牙合面窝沟以mm计量，以牙冠松动方向I度松动：《1mmII度松动：1~2mmIII度松动：》2mmI度松动：唇（颊）舌（腭）向松动II度松动：I度+伴近远中向松动III度松动：II度+垂直向松动松动度分级143.咬咬合纸或蜡片1.空咬法2.咬实物6.咬诊7.嗅诊二、颌面部常规检查检查方法触、扪诊听诊视诊问诊1.颜面表情与

3、意识状态2.外形与色泽3.颌面部各器官情况4.病变的部位和性质5.颌面部骨骼的检查6.语音及听诊检查内容：7.颌面部淋巴结检查颌面部炎症和肿瘤诊断和治疗意义重大8.颞下颌关节检查正常张口度：3～4.5cm轻度受限：2～3cm中度受限：<1cm张口过大：>4.5cm9.涎腺检查：肿瘤、炎症第二节、口腔颌面部的特殊检查1.牙周探针与牙周袋测量2牙髓活力测试:＜10℃和＞60℃冷热诊冷诊热诊与对照牙对比:有反应正常迟钝牙髓变性或部分坏死无反应牙髓坏死热诊激发痛,冷诊无化脓性变3电活力测试原理:电流牙髓神经冲动大脑测试部位:牙冠的唇颊中部近切

4、缘﹑合面假(+)近龈缘假(-)龋洞﹑牙本质﹑充填物﹑修复体测试方法:对照测试禁忌症外伤后6周的牙齿根尖尚未发育完全的牙齿全冠修复的牙齿已麻醉的牙齿安装心脏起搏器的牙齿临床意义:电流强度=对照牙:牙髓活力正常(电测试反应正常)电流强度＜对照牙:牙髓炎(…迟钝)电流强度＞对照牙:慢性牙髓炎﹑变性或部分坏死(…敏感)电流强度无反应:牙髓坏死(…无反应)第三节口腔颌面部影像学检查X-线平片全景片X-线头影测量术X-线照影CTMRI一x-线牙片检查二全景X线检查四.X线造影检查五.CT检查面深部的肿瘤，骨折等六.MRI检查软组对比度好，颌面部炎

5、症，或肿瘤（颅内和软组织内肿瘤）七.放射性核素检查八.超声检查六、其它方法1.穿刺及细胞学检查疑为颈动脉体瘤或动脉瘤禁用2.活体组织检查：门诊病志住院大病志书写门诊：主诉，查体，诊断，治疗。大病志：主诉，现病史，既往史，家族史。查体，专科检查，诊断，鉴别诊断，治疗计划。场致发射应用新观点——挑战传统CRT显示技术一、问题的提出上个世纪由CRT统治整个显示技术领域！CRT（CathodeRayTube）突出优点：1、具有高分辨率2、轻易实现的高亮度及很好的对比度3、能够显示丰富的彩色色调和图象层次4、显示速度快——被人们认为是图文显示的

6、标准显示技术首要解决的问题：实现显示器件的平板化！逐渐暴露的缺点：1、体积大2、重量大3、功耗大4、屏幕越大显象管越长二．问题的铺垫从固体中发射出（自由）电子按原理分主要有：1、热电子发射——传统CRT的原理2、场致电子发射——新技术核心固体体内电子的运动状态是量子化的:能量的费米-狄拉克分布。热电子发射密度：场致电子发射：其中：两者比较：1、电子的能量分散热发射电子来源于固体内电子的费米分布的高端尾部场致发射电子多数不是从能量分布的拖尾部，而是从费米能级附近发出的。因此场致发射电子的能量分散比热发射电子要小的多！2、电子的方向分布

7、热电子发射方向余弦分布：场致发射电子的出射方向集中于表面法线方向附近较小的角度范围内，其方向分布可表示为：为了获得可利用的场致发射电流，阴极表面必须有相当高的加速电场强度。如何获得如此高的场强呢？联想到“尖端放电”！只要将场致发射体（阴极）做成曲率半径很小的针尖。电场强度E可以用以下经验公式估算：三、问题的分析要实现显示器件的平板化，必须去掉传统CRT显示器的聚焦偏转部分。场致发射显示器（FED）基本模型已建立。可行性分析1、制造工艺试想用该技术制造一个现在主流的17英寸显示器（显示屏长320mm，宽240mm），实现1600×120

8、0的分辨率。每个发射尖端占有面积约：平均边长为：2、制造材料在其他条件不变时，随着逸出功We的减小，场发射电流会显著增大。寻求逸出功We足够低的材料，可以轻易实现在很低控制电压下获得相当可观的发射电流！2.1金属场致发射