模拟电子技术习题集.docx

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1、常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。(1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。()解：(1)V(2)X(3)V(4)X(5

2、)V(6)X二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽(2)设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。A.IseuB.ISeUUTC.ls(eUUT-1)(3)稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(5)Ugs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解：(1)A(2)C(3)C(4)B

3、(5)AC三、写岀图T1.3所示各电路的输岀电压值，设二极管导通电压Ud=0.7V。二2■厂S--1DV2-O+SG-±A1TJ/[*2rxlL[TRV2¥2图T1.3解：Uoi~1.3V,UO2=0,UO3~一1.3V,UO4~2V,U05~1.3V,Uo6〜一2V。四、已知稳压管的稳压值Uz=6V，稳定电流的最小值Izmin=5mA。求图T1.4所示电路中Uoi和UO2各为多少伏。图T1.4解：Uoi=6V,Uo2=5V。五、某晶体管的输岀特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率Pcm=200mW，试画岀它的过损耗区。图

4、T1.5解图T1.5解：根据Pcm=200mW可得：Uce=40V时Ic=5mA,Uce=30V时lc~6.67mA,Uce=20V时Ic=10mA,Uce=10V时Ic=20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、电路如图T1.6所示，Vcc=15V,3=100,Ube=0.7V。试问:(1)Rb=50kQ时，uo=?(2)若T临界饱和，贝URb~?解：(1)Rb=50kQ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为VbbUbeRbf1!F^——（2V）T所以输岀电压Uo=Uce=

5、2V图T1.6(2)设临界饱和时Uces=Ube=0.7V，所以七•测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。表T1.7管号Ugs（th）/VUs/VUg/VUd/V工作状态T14一513T2一43310T3一4605解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断岀它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。解表T1.7管号Ugs（th）/VUs/VUg/VUd/V工作状态T14一513恒流区

6、T2-43310截止区T3-4605可变电阻区1.1选择合适答案填入空内(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12卩A增大到22卩A时，Ic从1mA变为2mA,那么它的3约为A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A.增大B.不变C.减小解:1.2解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1

7、.5V时，管子会因电流过大而烧坏。1.3电路如图P1.3所示,已知ui=10sin3t(v)，试画岀ui与uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1.3解图P1.3解：ui和U。的波形如解图P1.3所示。1.4电路如图P1.4所示,已知ui=5sin3t(V)，二极管导通电压Ud=0.7V。试画岀ui与uo的波形，并标岀幅值。Y+班一Y-HTD:V3二立一13(1)A，C(2)A(3)C(4)A能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么?图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。1.5电路如图P1.5(a

8、)所示，其输入电压UI1和UI2的波形如图(b)所示，二极管导通电压Ud=0.7V。试画岀输岀电压uo的波形，并标岀幅值。图P1.50.30(2/v30.30(b)解图P1.51.6电路如图P1.6所示，二极管导通电压Ud=0.7V，