ESD防护(培训教材).docx

ESD防护(培训教材).docx

ID:62556093

大小:22.05 KB

页数:17页

时间:2021-05-12

ESD防护(培训教材).docx_第1页
ESD防护(培训教材).docx_第2页
ESD防护(培训教材).docx_第3页
ESD防护(培训教材).docx_第4页
ESD防护(培训教材).docx_第5页
资源描述:

《ESD防护(培训教材).docx》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、第一章:名词解释1.静电(Electrostatics):物体所带过剩或不足的相对静止不动的电荷。2.静电放电ESD(Electrostaticdischarge-ESD):具有不同静电电位的物体,由于直接接触或静电感应引起物体间的静电电荷转移。3.静电感应(Electrostaticinduction):当带静电的物体靠近某一介质时,在该介质表面因感应而带电荷,并形成感应电场。4.静电敏感器(Staticsensitivitydevice-SSD):对静电放电敏感的器件5.中和(Neutralization):利用异性电荷使静电消失6.接地(Grounding)

2、:电气连接到能提供或接受大量电荷物体上(如大地、船舰或运载工具外壳)1.泄放(Leakage):将静电荷安全泄放到大地2.硬接地(Hardground):直接与大地电极作导电性连接的一种接地方式(R〈10Q)3.软接地(Softground):通过一足以限制流过人体的电流达到安全值的电阻连接到大地电极的一种接地方式(100,000Q〈R〈1,000,000Q)4.防静电工作区(Electrostaticdischargeprotectedarea):配备各种防静电设备和器材,能限制静电电位具有确定边界和专门标记的适于从事静电防护操作的场所5.ESD保护材料(ESD

3、-Protectedmaterials):具备下列特征的材料:a、防止产生摩擦起电b、免受静电场的影响c、防止与带电人体或与带电物体接触而产生直接放电第二章:静电的来源及其危害1、静电的产生:两种不同起电序列的物体通过摩擦、碰撞、剥离等方式在接触又分离之后在一种物体上积聚正电荷,另一种物体上积聚等量的负电荷而形成的。这是由于两种不同的物体相互紧密接触时,它们最外层电子的逸出功不同,电子从逸出功较小的物体跳逸到逸出功较大的物体中去。此外,导体静电感应、压电感应、电磁辐射感应等也能产生很高的静电压。2、工厂内常见的静电源:静电源指可产生静电荷的物体。1.1环境:2.1

4、.1地板:封蜡的混凝土,涂蜡的木材,普通的维尼龙磁砖或平板,根据静电源材料,静电荷的多少,分离速度,环境湿度的不同而不同。3.1.2工作面:涂蜡,涂漆或凡立水处理的表面,普通的乙烯或塑胶台面。4.1.3工厂主要设备:5.2人:249喷砂222人穿的衣服13材料:231原材料:332生产辅助料:2.3.3包装材料:a、普通的塑胶一一-袋、纸、封皮;b、普通的气泡套c、普通的塑胶盘、塑胶篮、塑胶瓶、料盒24制程:241喷洗清洗机242普通的塑胶吸锡工具243烙铁头未接地的电烙铁244人造毛制作的溶剂刷子245液体或蒸汽的清洗或干燥246烤箱247低温喷洗248发热枪和

5、吹风机249喷砂3、人的活动产生的静电压:静电产生方法静电电压(V)相对湿度(10%~20%)相对湿度(65%~90%)在地毯上行走350001500在乙烯树脂地板上行走12000250工作台上操作6000100说明书的乙烯树脂封面7000600在工作台拿起聚乙烯袋子200001200聚氨脂泡沫垫子1800015004、ESD敏感元器件,组件和设备的分级:1级:易遭0~1999VESD电压危害的电子产品2级:易遭2000~4999VESD电压危害的电子产品3级:易遭4000~15999VESD电压危害的电子产品5、ESD敏感元器件:1级:敏感电压范围0~1999V

6、元器件类型微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHz的检测二极管离散型MOS场效应晶体管声表面波(SAW)器件结型场效应晶体管(JEETs)电荷耦合器件(CCDs)精密稳压二极管(线或加载电压稳定(0.5%))运算放大器(OPAMPs)续表1薄膜电阻器]集成电路使用1级元器件的混合电路超高速集成电路(VHSIC)环境温度100°C时,I0<0.175A的晶体闸流管(SCRs)2级:敏感电压范围2000~3999V元器件类型由附录A(补充件)试验数据确定为2级的元器件和微电路离散型MOS场效应晶体管结型场效应晶体管(JEETs)运算放大器(O

7、PAMPs)集成电路(ICs)超高速集成电路(VHSIC)精密电阻网络(R2)使用2级元器件的混合电路低功率双极型晶体管,Ptot<100mW,Ic<100mA3级:敏感电压范围4000~15999V元器件类型由附录A(补充件)试验数据确定为3级的元器件微电路离散型MOS场效应晶体管运算放大器(OPAMPs)集成电路(ICs)超高速集成电路(VHSIC)所有不包括在1级或2级中的其他微电路Ptot<1W或IO<1A的小信号二极管普通要求的硅整流器Io>0.175A的晶体闸流管(SCRs)350mW>Ptot>100mW且400MA>Io>100mA的低功率双极型晶

8、体管光电器

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。