模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

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1、填空题二极管：1.在半导体中．漂移电流是在作用下形成的，扩散电流是在作用下形成的。（电场，浓度差）2.二极管最主要的特点是；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。（单向导电性，IF，UR）3.在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V；硅二极管的死区电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。（0.1,0.3,0.5,0.7）4.二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而。(减小)5.硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在状态。（反向击穿区）晶体管及放大电路

2、基础：6.晶体管从结构上可分成和两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成和管。它们工作时有和两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。（NPN，PNP；硅，锗；电子，空穴）7.NPN型和PNP型晶体管的区别是（P区和N区的位置不同）8.晶体管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的倍。—般希望尽量选用ICEO的管子（1+β，小）9.晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对电流的控制作用。（集电极）10.已知晶体管β=99，IE=1mA，ICBO=0，则IB=，IC=。（0.01mA，99m

3、A）11.晶体管在放大电路中三种接法分别是、和。（共射，共集，共基）12.当温度上升时．晶体管的管压降UBE、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO分别将、和。（降低，增大，增大）13.从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为，锗管约为；晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为．锗管的UBE约为。（0.50.10.70.2）14.从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而。（减小）15.温度升高时，晶体管的共射极输入

4、特性曲线将，输出特性曲线将。而且输出特性曲线的间隔将。（左移，上移，增大）16.晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=－5V、UＢ=－８V、UＣ=－５.2V，则晶体管对应的电极是：A为、Ｂ为、Ｃ为。该晶体管属于型晶体管。（发射极，集电集，基极，PNP，锗）17.晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为=7V、=2.3V、=3V，则晶体管对应的电极是：A为、Ｂ为、Ｃ为。该晶体管属于型晶体管。（集电集，发射极，基极，NPN，硅）18.在晶体管共射放大电路中，当

5、时，管子工作于状态，此时集电极电流的大小只与有关，而与几乎无关。当恒定，具有恒流的特性。（线性放大，IB，UCE，IC）19.某晶体管的最大允许耗散功率是受限制的。（管子的结温允许值的大小）20.在晶体管放大电路中，集电极负载电阻的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为放大作用。（电压）21.放大电路的非线性失真包括失真和失真。引起非线性失真的主要原因是。（饱和，截止，静态工作点不合适，太高或太低，或输入信号幅度太大）22.引起电路静态工作点不稳定的主要因素是。为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引

6、入。（温度变化引起元器件参数变化，直流负反馈）1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入3kΩ的负载后输出电压降为3v，则此电路的输出电阻为。（1k）2.在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是电路．输入电阻最小的是电路，输出电压与输入电压相位相反的是电路。无电流放大能力的是放大电路，无电压放大能力的是路。但三种放大电路都有放大的能力。（共集，共基，共射，共基，共集，功率）3.多级放大电路常见的耦合方式有、和。（直接，阻容，变压器）4.直接耦合多级放大电路存在的两个主要的问题是和。（

7、零点漂移，静态工作点互相影响。5.所谓零点漂移是输入信号为零时，信号会产生缓慢的无规则的变化。（输出）6.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种晶体管工作在线性区而引起的失真称为，也称为。（线性失真，频率失真）7.放大电路的频率失真包括失真和失真。（幅度，相位）8.在阻容耦合放大电路中加入不同频率的正弦信号时，低频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在：高频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在。（耦合电容或旁路电容，结电

8、容，）9.在晶体管三种基本放大电路中，放大电路的高频特性最好。（共基）10.单级阻容耦合放大电路加入频率为和的输入信号时，电压增益的幅值比中频区下降了dB，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有的附加值。（3，45度）11.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益，通频带。（提高，变窄）12.多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率下产生的附加相移。（大）13.已知某放大电路电压放大倍数的频率特性如下式所示：式中f单位为Hz。那么，该电路