vlsi超纯水站设计

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5、argin-bottom":"0"}}--**/清华大学微电子所超纯水站产水用于超大规模集成电路(VLSI)的清洗工艺，其产水量为10m3/h(24h运行)。超纯水站原水温度≥13℃，压力为0.2～0.5MPa，原水水质见表1，产水水质(超滤出口)见表2。 1工艺流程及设备选型 　　根据出水水质要求，采用过滤器、两级反渗透(RO)加EDI装置的新工艺，其中EDI装置为国内第一次使用。系统工艺流程如下： 　　原水→水箱→多介质过滤器→254nm紫外线(UV)杀菌装置→一级RO装置→二级RO装置→中间水箱→EDI装置→脱氧

6、膜组装置→氮封纯水箱→185nm除TOCUV装置→抛光混床→超滤装置→用水点 　　该工艺设计与传统工艺的不同之处在于精处理工艺使用了EDI装置。传统的混床离子交换再生时消耗大量酸碱，操作管理不便，劳动强度大且污染环境，而电渗析是一项新型膜法水处理技术，它处理含盐量为500～30000mg/L的水时，比离子交换法经济。填充床电渗析又称电脱离子法(Electrodeionization)，简称EDI，它利用电渗析过程中的极化现象对离子交换填充床进行电化学再生，集中了电渗析和离子交换法的优点，克服了两者的弊端。 　　EDI装

7、置比传统DI混床技术先进：(1)属于环保型，基本无化学废物排放；(2)可连续再生；(3)启动、运行和维护简单；(4)出水纯度高，其电阻率≥16.8MΩ·cm；(5)回收率高，降低了SiO2和TOC指标，且不受入口水质波动的影响；(6)占地面积小；(7)性价比高；(8)无渗漏设计，组件更换容易，无须停机；(9)多种组合，适应各种流量范围；(10)适应恶劣环境的工业化设计；(11)技术成熟，在国外应用广泛。 　　根据各工段的作用机理，该工艺流程可分成预处理系统、二级(RO)脱盐系统、EDI去离子系统、脱氧膜除氧系统及循环精处

8、理系统。 1.1预处理系统 　　预处理系统包括原水箱、水泵、絮凝剂加药泵、管道混合器和多介质过滤器及反洗水泵等设备及其相关的管道和仪表。为调节原水的供应、稳定系统的进水压力，采用15m3FRP水箱一台。水泵为预处理工段提供动力，采用立式多级泵，共2台，一用一备，单台额定流量Q＝17.5m3/h，H=539kPa。