用比较器进行高精度模数转换

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时间:2018-01-31

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1、一种高精度单斜率AD及其单片机实现摘要:介绍了一种利用MSP430F1121单片机构成的采用类似于Σ-Δ技术的高精度的单斜率AD。分析了工作原理和参数计算。提供了分辨率,精度,线性度,稳定性等性能的测试结果,并讨论了它们的影响因素和应用。关键词:MSP430单片机单斜率AD一引言AD转换最常用的方法是逐次逼近法(SAR),转换时间固定且快速是其最大特点,但要明显提高分辩率有一定困难。积分型AD有较强的抗干扰能力,但转换时间较长。而过采样Σ-ΔA/D由于其高分辩率,高线性度及低成本的特点正得到越来

2、越多的应用。TI公司的MSP430F1121单片机内带有一个模拟比较器,因此,只须外接一只电阻和电容即可构成一个类似于Σ-Δ技术的高精度单斜率AD。图2-1测量电路图二测量电路及过程MSP430于F1121是16位RISC结构的FLASH型单片机。有14个双向I/O口并兼有中断功能。一个16位定时器,兼有计数和定时功能。一个模拟电压比较器。测量电路如图2-1所示。MSP430F1121工作电压为1.8-3.6V。I/O口输出高电平时电压接近Vcc,低电平时接近Vss,因此,一个I/O口可以看作一

3、位DAC,具有PWM功能。测量时P2.4引脚接被测电压。P2.0口输出一串占空比为50%,脉宽为Tp的脉冲。当电容充电到Vout=Vin时,比较器输出将翻转,这一过程称为预充电。此后为维持Vout=Vin,P2.0继续输出脉冲。程序开始对总的输出脉冲数N和输出为高的脉冲数n进行计数。P2.0口根据比较器的输出状态来决定是输出高还是低电平,如果比较器输出为低,表示Vout

4、里为3.0V)对应于N(这里为3000)个脉冲,如果n为1500,则Vin=1/2Vcc,即Vin为1.5V,相应地,每个高脉冲代表1mV,这样可以用于比例式测量和绝对值测量。三原理分析经预充电后,Vout=Vin,此后P2.0在电容C上反复充放电,虽然电容充放电是非线性的,但由于充放电幅度极小,只要满足RC>>Tp,则在一定精度内可以认为充放电过程是线性的。其波形如图3-1。图3-1电容充放电过程示意图图中虚线表示总的脉冲,实线是输出为高的脉冲,如果把相邻的高电平和相邻的低电平看成为一个脉冲,

5、分别为TH1,TL1,TH2,TL2…虽然TH1=TH2=…和TL1=TL2=…不一定成立,但从总体效果来看,可以认为它们是等宽的。那么,n个高电平和N-n个低电平成了m个大脉冲。其中,TH=n/m*Tp,TL=(N-n)*Tp/m.充电时,Vmax=Vcc+[Umin-Vcc]*exp(-TH/RC)放电时,Umin=Umax*exp(-TL/RC)由上两式得:Umax(1-exp(-(TH+TL)/RC)=Vcc(1-exp(-TH/RC))在一定的误差范围内有Umax=Vin,则:Vin(

6、1-exp(-(TH+TL)/RC)=Vcc(1-exp(-TL/RC))在(TH+TL)/T<<1时,指数项用泰勒级数展开后,得:Vin*N/m=VCC*n/m即Vin=n*VCC/N五参数计算用Umax分别减去式2等式两边得:DU=Umax-Umin=Umax(1-exp(-TL/RC))<

7、16取R=470K,则C=0.035uF六软件设计测量子程序框图如图6-1所示。P2.0输出的脉冲宽度由程序中输出高或低电平的运行时间决定,因此应尽量缩短这段程序的执行时间,另外,P2.0输出必须为对称的方波,如果程序中输出为高或为低的时间不一样,将会造成很大的误差。程序中必须先设定一个总的采样时间N,它也决定了分辨率,执行一次测量子程序只运行N/2的时间,因此,必须调用两次,把两次的高电平个数相加才为n。这样做的目的是为了利用MSP430F1121单片机的模拟比较器特性,即在一次测量子程序调用

8、后,内部交换同向和反向输入端的端口,以抵消比较器的输入偏置电压引起的误差。七分辩率,精度,稳定性,线性度及影响因素分辩率:由预设的总测量时间N来决定,如果N取4096(214BIT),则分辩率为14位,如果N取65535,则分辩率为16位。分辩率的大小将影响测量时间,从而影响采样频率。在主频为3.578545Hz时,一个Tp(即P20口输出一个高或低电平)的时间为14个CPU周期,约为1/3578545=3.9us,则N=4096时一次测量的时间为16ms,如果N=65535,则一次测量的时间为

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