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时间:2022-02-04
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1、3.1双极晶体管的结构双极晶体管的定义双极晶体管的电极、符号、表示方法通过工艺步骤熟悉双极晶体管的结构硅平面外延晶体管杂质分布的特点双极晶体管的分类3.2双极晶体管中的电流传输能带图、少子密度分布以及电流密度分布放大原理空间电荷区边界条件直流特性曲线第三章双极晶体管3.3电流增益电流增益的定义和描述方法本征电流增益的两个主要组成部分发射极注入效率基区输运系数其它因素如何影响电流增益提高电流增益的途径3.4EM方程EM方程的形式及参数的定义等效电路互易关系3.5大电流效应和基区宽度调变效应3.5.1大注入效应大注入电场大注入电导调制大注入
2、电场对基区渡越时间的影响扩散系数乘以2有效基区扩展效应(Kirk效应)发射极电流集边效应3.5.2基区宽度调变效应(Early效应)Early电压分析上述效应的产生机构,对BJT特性的影响,如何描述这些效应?--理想特性与实际特性的差别。直流参数和基极电阻基极电阻BJT的电击穿机构雪崩击穿和隧道击穿基区穿通外延层穿通三个击穿电压及其关系3.6晶体管频率特性3.6.1小信号模型如何描述BJT的小信号工作如何得到BJT的小信号参数和小信号等效电路掌握BJT的混合π等效电路混合π等效电路中各模型参数的定义、物理意义3.6.2特征频率和截止频率
3、特征频率和截止频率的定义和计算传输延迟时间的组成传输延迟时间各成分的产生机构、计算方法和影响因素3.6.3开关工作和开关时间开关时间的定义BJT的电荷控制方程开关过程中BJT状态的改变过剩载流子分布影响开关时间的因素研究BJT用于开关电路中的特性,重点要求掌握开关过程中BJT状态的改变,以及如何描述开关过程。包括静态特性、动态特性。双极晶体管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管(若是2代表二极管)第二位:A锗PNP管、B锗
4、NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管例如:3AX31D、3DG123C、3DK100B
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