电子与资讯研究中心

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1、電子與資訊研究中心計畫名稱：W頻段訊號源之研製研究者：張志揚經費來源：國科會國防科技學術合作協調小組關鍵字：W頻段訊號源；單平面式毫米波震盪器；主動式倍頻器；推推式毫米波震盪器本計畫之目的為研製W頻段平面式MIC訊號源。初步之規劃有二種可行之方案。第一種是利用一個Ka或Q頻段的震盪器經過一個主動式倍頻器將之倍頻到W頻段。第二種則是利用推推式震盪器架構(push-pushoscillator)直接振在W頻段。經過前一年W頻段MIC二極體混頻器的研究，對傳統MIC電路工作到W頻段已經確認沒有問題，尤其是單平面式MIC電路

2、較微帶線式MIC電路有較好的高頻特性。本計劃電路之實現都準備使用單平面式MIC電路。預期可能遭遇的困難有：一、現有的商售HEMT電晶體製作Ka頻段的倍頻器或震盪器已無問題，但是否具有W頻段之能力仍是一個問題，有待本計劃研究、克服。二、二極體倍頻器雖然較容易但轉頻耗損太高，本計劃擬採用主動式倍頻器以降低轉頻耗損。三、推推式震盪器具有頻率乘倍的作用，但設計上困難度高很多。克服上述困難之後計畫將完成W頻段單平面式MIC訊號源，且因為同為單平面式MIC，故具有和前一年W頻段單平面式MIC混頻器整合成W頻段次系統之可能性。NS

3、C91-2623-7-009-006D91004(91.01.01-91.12.31)-----------------------------------------------------------------------------------------------------計畫名稱：Ka頻段高拒斥力波導瀘波器之研製研究者：張志揚經費來源：財團法人國防工業發展基金會關鍵詞：Ka頻段；高拒斥力；波導濾波器本計畫擬用波導結構發展適用國防科技之高性能Ka波段微波接收機用之高拒斥力波導濾波器。為達Ka頻段高拒斥力

4、之濾波器之性能，我們選擇使用波導濾波器，有較高的Q值，達到高拒斥力性能。而因應縮小化之要求，可採用最低之不對稱結構為三階結構。三階結構可利用主耦合與交錯耦合電壓之同相(或反相)以產生有限頻率傳輸零點以消去高頻端(或低頻端)之鏡像頻率之鏡像頻率。波導濾波器採用的耦合結構為常用之電感性孔隙。其輸出入波導為標準的WR-28Ka波段波導。B91023(91.05.01-92.04.30)----------------------------------------------------------------------

5、-------------------------------計畫名稱：SOC整合設計技術先導示範計畫研究者：張俊彥經費來源：經濟部技術處關鍵詞：載具；晶片系統　　　矽導計畫之推動影響深廣，依據矽導計畫晶片系統國家型科技計畫(NSOC)細部規劃，自九二年起連續三年共計五十一億預算將推動相關科技專案，奉晶片系統國家型科技計畫指導委員建議應盡速完成示範計畫，以徵國內外半導體相關產業參考。本計畫依據指導小組指示辦理，擬於九一年度矽導計畫前置計畫期間整合製程、封裝、測試、EDA、IC/IP、系統廠商及學校設計團隊合作完成80

6、2.11B系統晶片設計，一則作為推動載具計畫之示範推動，二則協助未來相關計畫之補助及驗證機制建立。C91133(91.06.11-91.12.31)-----------------------------------------------------------------------------------------------------計畫名稱：低溫複晶矽鍺薄膜電晶體元件研究研究者：張俊彥經費來源：工業技術研究院電子工業研究所關鍵詞：薄膜電晶體；複晶矽鍺；準分子雷射；超高真空化學氣相沉積系統本計畫將以一年

7、時間，進行低溫複晶矽鍺薄膜之研究與其薄膜電晶體的製作，主要研究在於提高複晶矽薄膜電晶體的載子遷移率。為了提高載子遷移率，首先利用超高真空化學氣相沉積系統（UHVCVD）或低壓化學氣相沉積系統（LPCVD）沉積高品質的非晶矽鍺薄膜層。再利用爐管退火方式或雷射退火方式將非晶矽鍺結晶成複晶矽鍺薄膜，並以此當作薄膜電晶體的通道層。為了解決複晶矽鍺與閘極氧化層之間介面缺陷的問題，本計畫提出兩種方向解決：1)可在複晶矽鍺薄膜上長一層超薄的複晶矽層當覆蓋層，2)或用離子佈植的方式將鍺離子打入非晶矽鍺層後在退火並活化鍺離子而形成複晶

8、矽鍺薄膜，進而提高載子遷移率。為了降低漏電流以提高On/Off的比率，本計畫可利用形成間隙壁或提出新結構來降低漏電流，最後再利用電漿輔助化學氣相沉積系統在低溫環境下將電晶體做鈍化處理，分別以不同的電漿氣體，如NH3、N2O、N2等，藉由氣體原子填補電晶體導通層以及介面間的缺陷以改善電性、提高載子遷移率。E91002(91.1.1-91.12.3