练习1 半导体和二极管

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1、练习1半导体和二极管1.在绝对零度（0K）时，本征半导体中________载流子。A.有B.没有C.少数D.多数2.在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对3.半导体中的载流子为_________。A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴4.N型半导体中的多子是________。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子5.P型半导体中的多子是_________。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷7.在杂

2、质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于________。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷8.在下列说法中只有_________说法是正确的。A.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。B.在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。C.P型半导体带正电，N型半导体带负电。D.PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。9.在下列说法中只有________说法是正确的。A.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。B.由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。C.PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述P

3、N结的反向击穿特性。10.当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。A.大于B.小于11.当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。A.大于B.小于C.等于12.在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流的值将是_________。A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.I=0mA13.在如图所示电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V，当V1=5V、温度为20℃时，I=2μA。若电源电压由5V增大到10V，则电路中的电流I约为________。A.10μAB.4μAC.2μAD.1μA

4、1.如图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是________。A.bB.cC.a2.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为________。.(设二极管的导通压降为0。)A.5.6VB.-4.3VC.-5VD.6V3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0。)A.-5VB.5VC.-5.7VD.5.7V4.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为________。.(设二极管的导通压

5、降为0.7V。)A.0VB.-0.7VC.-1.7VD.1V5.二极管的双向限幅电路如图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出vo的波形为________。A.a)B.b)C.c)D.d)1.电路如图所示。试估算A点的电位为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）A.6.7VB.6VC.5.7VD.-6.7V2.电路如图所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）A.6.3VB.3.9VC.5.7VD.6.7V3.在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性

6、能最好的是________。管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流a)0.5mA1μAb)5mA0.1μAc)2mA5μAA.a)B.b)C.c)D.d)1.判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）A.0.7VB.0.3VC.6.3VD.5.7V2.判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为_________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）A.1.7VB.-1.7VC.-2.3VD.2.3V3.判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二

7、极管的正向压降VF为0.7V。）A.5VB.-6.3VC.6.3VD.-5.3V4.判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）A.1.4VB.-1.7VC.1.7VD.-2.1V5.一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID_________。A.约为11mA（也增加10%）B.约为21m