rom、ram、flashmemory的区别

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1、存储设备存储器特点RAMFlashMemoryROM中文名称（RandomAccessMemory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（ReadOnlyMemory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NORFlash和NANDFlash型PROM、EPROM、E2PROM速度较快较慢ROM不同ROM特点MaskROMPROMEPROME2PROMFlashROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯

2、片可重复写入通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盘（NANDFlash）FlashROM存储器特点NORFlashNANDFlash性能比较1、NORFlash的读速度比NANDFlash的读速度；2、NANDFlash的写入速度比NORFlash快很多；3、NANDFl

3、ash的4ms擦出速度远比NORFlash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。4、NANDFlash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。接口差别1、NORFlash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NANDFlash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。2、NANDFlash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NANDFlash结构可以取代硬盘或其他设

4、备。容量和成本1、NANDFlash的单元尺寸几乎是NORFlash的一半，由于生产过程更为简单，NANDFlash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。2、NORFlash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NANDFlash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NORFlash主要应用在代码存储介质中，NANDFlash适用于资料存储。NANDFlash在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场所占份额最大。可靠性和耐用性寿命(耐用性)NANDFlash中每个块的最大擦写次数是一百万

5、次，而NORFlash的读写次数是十万次。典型的NANDFlash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。位交换NANDFlash发生的次数要比NORFlash多FlashMemory器件都受位交换现象的困扰。块坏处理NANDFlash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NANDFlash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。易用性可以非常直接地使用NORFlash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口

6、，NANDFlash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。软件支持不需要任何的软件支持需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）市场定位用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NORFlash也被称为代码闪存（CodeFlash）。用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NANDFlash也被称为数据闪存（DataFlash）。RAM不同SRAM特点SRAMDRAMDDRAM（基于SRAM）全称StaticRAM，静态随机存储器DynamicRAM，动态随机存储器DoubleDataRateSDRAM，双倍速率

7、随机存储器存储速度较快较慢成本较高较低技术双倍预取技术DDRAM技术采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。