西门子sm150传动培训讲义

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1、SM150主传培训讲义一、硬件配置图一图二我们厂主传配置主要分为3种，如上图中表明的。第一类是R1上下辊的，为一整流一逆变形式；第二类是R2的为三整流三逆变形式；第三种是精轧F1-F7的两整流两逆变形式。二、详细配置图三图四驱动系统系统组成定子：SM150转子：DCMASTER6RA70同步电机图五1、图三是整体的系统组成，从进线的从高压的进线断路器到变压器再到SM150的进线柜。通过整流器整流形成3电平的直流母线。1、图四是整流逆变组件的实物图。2、图五是功率组件的原理图（详细阐述功率组件的工作原理）三、系统小部件■二极管（DIODE）符号：特点：---不可控器件；---单向导电性；---

2、广泛应用于各种整流电路、限幅、稳压、变容电路中。7000V/10000A■晶闸管，可控硅（SCR=SiliconControlledRectifier，Thyristor）符号：特点：---半控器件（可以控制开通，不能控制关断）；---单向导电性；---广泛应用于各种整流、逆变电路中。优点：电压高，电流大；缺点：工作频率较低（一般低于400Hz），大大限制了它的应用。■门极可关断晶闸管（GTO=GateTurnoffThyristor）符号：特点：---电流型全控器件；---目前承受电压最高、流过电流最大的可控功率器件；7000V/3000A优点：耐压高、通过电流大；管压降低；导通损耗小；d

3、v/dt耐量高。6000V/3000A缺点：驱动电路复杂；驱动功率大；关断时间长，必须限制dv/dt,需要缓冲电路；拖尾电流大，关断损耗大；开关频率低。■电力晶体管、巨型晶体管、双极结型晶体管（GiantTransistor——GTR）（BipolarJunctionTransistor=BJT）符号：特点：---电流型全控器件；耐压高、通过电流大；开关特性特性好，开关频率高于GTO。缺点：驱动电路复杂；驱动功率大；有二次击穿现象。由于其绝大部分被IGBT和POWERMOSFET替代，未得到长足的发展。1400V/1200A■场效应管（POWERMOSFET)符号：特点：---电压型全控器件

4、；优点：输入阻抗高，驱动功率小，开关速度快，不存在二次击穿。缺点：电流容量小；耐压低，一般用于不超过10kw场合■绝缘栅双极性晶体管（IGBT)IGBT=Isolated-gateBipolarTransistorIGBT=MOSFET+GTR符号：特点：---电压型全控器件■绝缘栅双极性晶体管（IGBT)IGBT=MOSFET+GTR优点：----输入阻抗高，驱动功率小，开关速度快，不存在二次击穿。---耐压高、通过电流大；开关特性好，开关频率高于GTO。缺点：高压IGBT内阻大，通态压降大，导通损耗大。IGBT是目前国内外高低压变频器功率器件应用最普遍的器件。目前单管高压IGBT达到:6

5、.5KV/0.6KA;3.3KV/1.8KA;4.5 kV/0.9 kA;低压单管IGBT达到：1700V/1.2KA■集成门极换流晶闸管（IGCT)IGCT=IntegratedGateCommutatedThyristorIGCT=MOSFET+GTO+改进符号：特点：优点：----输入阻抗高，驱动功率小，开关速度快，不存在二次击穿。----耐压高、通过电流大；管压降低；导通损耗小。----关断时间短，不需限制du/dt,不需缓冲电路；----体积减小，便于和DIODE集成。缺点：---开关频率低。IGCT、IGBT比较（1）在通态压降上，IGCT优于IGBT;（2）在开关频率、开关特性

6、、驱动功率等方面逊色于IGBT;（3）IGCT电压高，电流大4.5 kV/4 kA，6.5 kV/6 kA;（4）IGBT会产生爆裂，而IGCT不会产生爆裂。目前我们辅传系统的逆变器所采用的就是IGBT,而我们SM150所采用的功率元件是IGCT。但是我们功率组件里面还有功率二极管，也就是在整流功率组件中，整流部分使用的是功率二极管而功率回馈采用的是IGCT这样就能够保证回馈电网的电压是可调的，功率因数也是可调的。而在逆变的功率组件中逆变部分采用的是IGCT而回馈部分采用的功率二极管。