射线检测 microsoft word 文档

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1、高级无损检测技术资格人员-射线检测考题汇编选择题（将认为正确的序号字母填入题后面的括号内，只能选择一个答案）1.原子核外电子能级最高的是（a）a.外壳层 b.中间壳层 c.内壳层 d.以上均不是2.下列几种辐射中,哪种在空气中的电离效应最高？（a）a.α粒子 b.β粒子 c.中子 d.α和Χ射线3.Χ射线、γ射线和α粒子有一个共同点，即它们都是（d）a.物质粒子辐射 b.电磁辐射 c.微波辐射 d.电离辐射4.当射线波长一定时，下列哪种物质的μ值最大？（d）a.Fe b.Al c.Mg d.Cu5.放射性同位素衰变时，同位素的

2、原子核以哪种方式蜕变？（d）a.粒子发射 b.K俘获 c.淹灭辐射 d.a和b6.放射性同位素源的比活度取决于（d）a.核反应堆中照射的中子流 b.材料在反应堆中的停留时间 c.照射材料的特性（原子量、活化截面） d.以上全是7.γ射源的辐射输出，又称为特性强度，通常以有效输出表示，其单位为（c）a.R/h·ci b.R/m·s·ci c.m·R/h·ci d.R/m·h·ci(注:1ci=3.7*1010Bg)8.具有良好检出灵敏度的中子一般是指（b）a.冷中子 b.热中子 c.超热中子 d.快中子9.对于射线检验的防护而言

3、，应着重考虑的是（c）a.眼晶体的非随机效应b.其它单个器官或组织的非随机效应c.全身均匀照射的随机效应d.以上都是10.当单色窄束X射线通过厚度为d的物质后,表示射线强度衰减规律的公式为(a)a.I=I0e-μd b.I=I0e-2μd c.I=-μdI0 d.以上都不对11.10居里钴60γ射线源衰减到1.25居里,需要的时间约为(c)：a.5年 b.1年 c.16年 d.21年12.X射线机的管电流增大,产生的连续X射线的线质(b)：a.变硬 b.不变 c.变软13.当一束射线透过某金属时得到的衰减系数μ=3cm-1，其

4、半价层厚度为(d)：a.2.3mmb.1.5mmc.4.1mmd.以上都不对14.铯137的半衰期大约是（d）：a.37年b.5.6年c.75天d.以上都不对15.与γ源的半衰期有关的因素是（c）：a.源的强度b.源的物理尺寸c.源的种类d.源的活度16.X射线与γ射线的唯一区别是（c）：a.波长不同b.光速不同c.产生的机理不同d.强度不同17.当管电压为一定值时，增大管电流，则连续X射线的线质强度和波长将发生（d）a.线质变软，强度变大，波长不变b.线质不变，强度不变，波长变短c.线质变硬，强度变大，波长变长d.线质不变，

5、强度变大，波长不变18.“光电效应”的光子能量按下列形式被吸收（c）：a.完全不吸收b.部分被吸收c.完全被吸收d.以上都不是19.康普顿效应作用过程的特征是（d）a.产生正负电子对b.光子的全部能量被转移c.光子能量不发生转移d.光子能量部分被转移20.设入射线强度为I0，透过射线强度为I，散射线强度为Is，则散射比n定义为（a）a.Is/I b.Is/I0 c.I/I0 d.I0/I21.假定某γ放射源的衰变常数λ=0.021/年，则其半衰期为（c）：a.5.3年b.3.3年c.33年d.75天22.2000KV的X射线最

6、短波长约为（b）：a.0.093 b.0.062 c.0.093nm d.0.062nm23.与低能射线透照相比，高能射线透照具有以下特点（a）：a.宽容度大b.对比度较高c.感光速度快d.散射线影响大24.吸收剂量在国际单位制中的单位和符号是（c）：a.贝可(Bg)b.库仑/千克(C/Kg)c.戈瑞(Gy)d.希沃特(Sv)25.人体各部分组织受射线过量照射时均会受到伤害，但其中特别灵敏的部分是(d)：a.血液b.眼球c.内脏d.以上都是26.在X射线谱图上，当射线管中的电子能量达到足以将靶原子核内层电子击出轨道时，则谱图上

7、出现（c）a.连续X射线谱形b.特征X射线谱形c.连续和特征X射线谱形d.以上都不是27.钴60γ放射源的原子核中有（b）a.27个质子，32个中子b.27个质子，33个中子c.28个质子，32个中子d.28个质子，33个中子28.某放射源的衰变常数λ=0.0035/天，因为其半衰期为（d）：a.5.3年b.74天c.127天d.以上都不是29.当射线能量范围在10KeV-100KeV时，钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（a）a.光电效应b.康普顿效应c.汤姆逊效应d.电子对生成效应30.当射线能量范围在1MeV-10MeV

8、时，钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（d）a.光电效应b.康普顿效应c.汤姆逊效应d.电子对生成效应31.射线透过物质时，电子对生成效应只能在入射射线光子能量达到下述数值时才能发生（b）a.1.02MeVb.大于1.02MeVc.1020KeVd.小于1020KeV32.设