大学计算机基础作业-论文排版

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1、目录摘要11实验32结果与讨论2.1薄膜的结构与形貌32.2薄膜的电学和光学特性53结论8退火对ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜性能的影响EffectsofAnnealingonPropertiesofZnO／Cu／ZnOTransparentConductiveFilm李文英，钟建，张柯，汪元元，尹桂林，何丹农。LiWen—ying1，ZHONGJian2，ZHANGKe2WANGYuan—yuan2，YINGui一1in2．HEDan—nong1’2(1上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240；2纳米技术及应用国家工程研究中心，上海

2、200241)(1SchoolofMaterialsScienceandEngineering．ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai200240，China；2NationalEngineeringResearchCenterforNanotechnology，Shanghai200241，China)摘要：室温下利用磁控溅射制备了ZnO／Cu／ZnO透明导电薄膜，采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外一可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等

3、性能与退火温度之间的关系。结果表明：退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向，随着退火温度的升高，薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加，薄膜电阻率先降低后升高，光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150。C下真空退火的ZnO／Cu／ZnO薄膜的性能最佳，最高可见光透光率为90．5％，电阻率为1．28×10-4Q·cIn，载流子浓度为4．10×1021cm。关键词：退火；ZnO；Cu；透明导电薄膜9中图分类号：TN304；0484文献标识码：A文章编号：1001—4381(2015)01—0044—05Abstract：ZnO／Cu／ZnOtra

4、nsparentconductivethinfilmwaspreparedbymagneticsputteringdeposi—tionatroomtemperature．Therelationshipsbetweenpost—annealingandthestructure，morphology，electricalandopticalpropertiesofthemultilayerfilmwereinvestigatedbyX—raydiffraction(XRD)，canningelectronmicroscope(SEM)。Halle

5、ffectmeasurementsys—temandUV—Visspectrophotometer．TheresultsindicatethatZnOfilmshave(002)preferentialori—entationbeforeandafterannealing．Withtheincreaseofannealingtemperature，thecrystallization，grainsizeandsurfaceroughnessincrease．Theresistivitydecreasesatfirstandthenincreas

6、es，whiletheopticaltransmittanceandbandgapenergyincreaseatfirstandthendecrease．ZnO／Cu／ZnOfilmannealedat150℃hasthebestperformancewiththehighesttransmittanceof90．5％inthevisiblerange，aresistivityof1．28×10—4n·cmandacarrierconcentrationof4．10×1021cm一3．Keywords：annealing；ZnO；Cu；tra

7、nsparentconductivefilmZn0是一种Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体，在可见光范围内具有高的透过率。作为一种透明导电氧化,ZnO在平板显示器、太阳能电池、有机发光二极管、液晶显示器等领域有着广泛的应用前景。透明导电薄膜要求在可见光范围内具有高透过率和低电阻率，然而，纯Zn0具有高的电阻率，因此，有必要引入一种方法来降低其电阻率。半导体一金属一半导体(D-M—D)结构将金属与半导体相结合，中间层的金属可以提供导电电子，提高薄膜的导电性，同时，上下两层的半导体，又可以抵消中间层对光的散射作用，从而保证其透光性。常用的金属有Au，Ag和Cu，

8、因为它们具有高的导电性，但是，Au和Ag的价格比较昂贵，不利于大规模使用，而Cu与Ag相比具有相当的电导率(≈1．7×10“Q·cm)；另一方面，Cu