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1、纳米隐身材料概述摘要：本文主要在前人论述总结的基础上对当前纳米隐身材料的原理、研究的现状（进展）、存在的问题、发展趋势和自己的一点个人看法做一个大概的简单的概述。关键词：纳米隐身材料所谓纳米材料是指晶粒直径小于100纳米、包含多个原子簇的超细材料。在这种材料状态下，材料的力学性能、光学性能、化学性能、磁性能及电学性能发生了与传统材料不相同的变化。【1】纳米隐身材料是指以磁性纳米材料或结构为主体构成的一种复合隐身材料。在信息化条件下，军事高科技的发展受到各国的重视，作为军事高科技的重要成员和基础，军用材料的发展历来很受重视。现代战争中，先进侦察系统和精确打击系统在实际作战中对军事
2、装备及设施的威胁越来越大，隐身技术的应用能够显著提高武器装备的生存、突防和纵深打击能力，因此隐身技术成为世界各军事强国研究的热点之一。一．隐身原理⒈简单来说，金属粉体（如Fe、Ni等）随着颗粒尺寸的减小，特别是达到纳米级后，电导率很低，材料的比饱和磁化强度下降，但磁化率和矫顽力急剧上升。其在细化过程中，处于表面的原子数越来越多，增大了纳米材料的活性，因此在一定波段电磁波的辐射下，原子、电子运动加剧，促进磁化，使电磁能转化为热能，从而增加了材料的吸波性能。【2】从而反射除去的波就少，不容易被对方雷达探测到，从而起到隐身效果。一般认为，其对电磁波能量的吸收由晶格电场热振动引起的电子
3、散射、杂质和晶格缺陷引起的电子散射以及电子与电子之间的相互作用三种效应来决定。⒉纳米Si/C/N粉体的吸波机理与其结构密切相关。但目前对其结构的研究并没有得出确切结论，一般-5-认为，在纳米Si/C/N粉体中固溶了N，存在Si（N）C固溶体，而这些判断也得到了实验的证实。固溶的N原子在SiC晶格中取代C原子的位置而形成带电缺陷。在正常的SiC晶格中，每个碳原子与四个相邻的硅原子以共价键连接，同样每个硅原子也与周围的四个碳原子形成共价键。当N原子取代C原子进入SiC后，由于N只有三价，只能与三个Si原子成键，而另外的一个Si原子将剩余一个不能成键的价电子。由于原子的热运动，这个电
4、子可以在N原子周围的四个Si原子上运动，从一个Si原子上跳跃到另一个Si原子上。在跳跃过程中要克服一定势垒，但不能脱离这四个Si原子组成的小区域，因此，这个电子可以称为“准自由电子”。在电磁场中，此“准自由电子”在小区域内的位置随电磁场的方向而变化，导致电子位移。电子位移的驰豫是损耗电磁波能量的主要原因。带电缺陷从一个平衡位置跃迁到另一个平衡位置，相当于电矩的转向过程，在此过程中电矩因与周围粒子发生碰撞而受阻，从而运动滞后于电场，出现强烈的极化驰豫。二．研究现状【4.5.6.7.8.9】公开资料显示目前国内外研究的纳米雷达波吸收剂主要有如下几种类型:纳米金属与合金吸收剂、纳米氧
5、化物吸收剂、纳米SiC吸收剂、纳米铁氧体吸收剂、纳米石墨吸收剂、纳米Si/C/N和Si/C/N/O吸收剂、纳米金属膜/绝缘介质膜吸收剂、纳米导电聚合物吸收剂、纳米氮化物吸收剂【3】等国内关于纳米吸收剂的研究具有代表性的是成都电子科技大学的纳米针形磁性金属粉、多层纳米膜复合吸收剂,青岛化工学院的手征和纳米磁性金属离子的复合吸收剂以及哈尔滨工业大学的纳米亚单畴氮化铁固体超顺磁体复合吸收剂。成都电子科技大学以液相法合成出铁基纳米针形粉,并对影响其电磁参数的诸多因素进行了研究,这种纳米铁基金属粉密度低、质量轻,通过成分变化,可以有效控制其频率特性,有利展宽吸收频带。在此基础上,他们又对
6、轻质多层膜复合材料进行了研究,利用化学成膜技术在中空玻璃球表面生成均匀、致密的金属镀层从而制备出了轻质颗粒膜复合吸收剂,这种吸收剂具有密度小,能充分发挥单位质量损耗层作用的显著特点,并且可以通过控制镀膜工艺和损耗层成分的方法达到有效调节镀膜颗粒复合材料的电导率、比饱和磁化强度进而调节其电磁参数,是一种轻质复合吸收剂。青岛化工学院纳米材料研究所用纳米金属作催化剂通过聚合反应制备出导电螺旋手征吸收剂,这是一种集纳米材料、导电高聚物与螺旋手征于一体的新型轻质、宽频吸收剂。由于螺旋的作用,这种吸收剂对吸波涂层具有增强作用,具有工艺性能好、使用方便等优点。哈尔滨工业大学制出了具有纳米粒度
7、的单畴氮化铁固体超顺磁体并对超顺磁体的研制工艺也进行了探索性研究,建立了工艺研究设备。纳米氮化铁具有很高的饱和磁感应强度,而且有很高的饱和磁流密度,因此纳米粒度的氮化铁超顺磁体吸收剂具有较高的磁导率。此外，纳米氮化硅是另一种常见的纳米氮化物吸收剂,纳米氮化硅中大量悬挂键的存在形成电偶极矩,使其界面发生极化从而使纳米氮化硅产生强的介电损耗，具有良好的吸波性能。国外方面，美、法、日等国都把纳米材料作为新一代隐身材料加以研究和探索。日本用二氧化碳激光法研制出一种在厘米和毫米波段都有很好吸波性能的硅
