模电第一章练习习题.doc

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1、第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）解：二、选择正确答案填入空内。（1）PN结

2、加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解：（1）A（2）C（3）B（4）AC三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。图T1.3解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，U

3、O6≈－2V。四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4解：(a)图能击穿稳压，UO1＝6V；(b)图不能击穿，靠电阻分压，UO2＝5V。五、电路如图T1.5所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为μA所以输出电压UO＝UCE＝2V。图T1.5（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以六．测得某放大电路中三个MOS管的三个

4、电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表T1.7管号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14－513T2－43310T3－4605解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。解表T1.7管号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14－513恒流区T2－43310截止区T3－4605可变电阻区习题1.1选择合适答案填入空内。（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，

5、加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A.83B.91C.100（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大看P43图B.不变C.减小解：（1）A，C（2）A（3）C（4）A1.2电路如图P1.3所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1.2解图P1.2解：ui和uo的波形

6、如解图P1.3所示。1.3电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。1.4电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流ID＝（V－UD）/R＝2.6mA其动态电阻rD≈UT/ID＝10Ω故动态电流有效值Id＝Ui/rD≈1mA图P1.41.5现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和

7、8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.6已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。（1）分别计算UI为10V、24V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当UI＝10V时，

8、若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿