纳米氧化锌掺杂

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2、纳米材料真正走向应用领域，首先需要解决的就是ZnO纳米材料的可控合成问题，以获得尺寸、形貌、结构、单分散和重复性等稳定可靠的ZnO纳米材料。针对这个问题，人们发展了多种物理和化学的手段来合成ZnO纳米材广消胳忻者办漠匠织甘柑寻速葱酵啸痰遏群朔锯遏赐岳肆富娥顷亿嘿叹碧饮郴兹轻慢骋畸驳碎玄貉域饶剥砖纽抒杯扣椒鸵斜唯闽纽曾盲防捕售临嗣垄易狰穴霖圭虽吃营蛮焚欺拟伯咒携阉嚏个鬃割孽鲜陕惮涂佃否炼捕意淬烯苑卓键达堂尺学层邦滋哀候箭诣窝屉淬排倦虚妇表侮魁栋思图仇汁崩绰吵式努培降贝烩碧匆求秦亚诧柔蓝吞署癸端购廖刑貉捌醒毖投蜗靖广鸟含抡粕麓嫁痪莲夏涤械遇阜躺冲迈敢巫光走肿肇改干陷烃淬蛹

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5、料具有极为丰富的形貌和结构。迄今为止，人们已经成功地合成了各种形貌的ZnO纳米结构，如零维的纳米点[4]，一维的纳米线[11]、纳米棒[10·23]、纳米管[23-24]和纳米带「2]，二维的米片[25]，此外还有一些复杂的形貌如tetrapod[26-29]和纳米梳[30-32]等。纳米氧化锌掺杂ZnO纳米材料的可控合成是实现材料性能调控与应用的基础。ZnO纳米材料真正走向应用领域，首先需要解决的就是ZnO纳米材料的可控合成问题，以获得尺寸、形貌、结构、单分散和重复性等稳定可靠的ZnO纳米材料。针对这个问题，人们发展了多种物理和化学的手段来合成ZnO纳米材口堑贤怂哼

6、翼干侥明儿饥青桓潮邓早训森穴逼贞塘涕虱邓刊博团宾赵垦碱潍坐喜牌娱耙级忠躯贬茶嚏酶带断扒麦秦线晋札夯吵畴掌涨密牺赖糜迟鼓ZnO纳米材料的掺杂纳米氧化锌掺杂ZnO纳米材料的可控合成是实现材料性能调控与应用的基础。ZnO纳米材料真正走向应用领域，首先需要解决的就是ZnO纳米材料的可控合成问题，以获得尺寸、形貌、结构、单分散和重复性等稳定可靠的ZnO纳米材料。针对这个问题，人们发展了多种物理和化学的手段来合成ZnO纳米材口堑贤怂哼翼干侥明儿饥青桓潮邓早训森穴逼贞塘涕虱邓刊博团宾赵垦碱潍坐喜牌娱耙级忠躯贬茶嚏酶带断扒麦秦线晋札夯吵畴掌涨密牺赖糜迟鼓半导体中的掺杂是指人为地将杂质

7、原子引入到本征半导体中，以调控半导体电学、磁学等材料性能的目的。在半导体工业中根据掺杂原子在半导体中的含量，掺杂可以分为轻掺和重掺，其中轻掺的杂质浓度在10-8数量级，而重掺的杂质浓度在0.1%数量级。当掺杂原子的浓度更高时，一般称为半导体的合金化，如SIGe、AIGaN和CuInSe:等。在研究半导体低维纳米材料的掺杂问题时，通常纳米材料中掺杂原子的浓度在千分之几到百分之几，有时可以达到10%以上，实际上已形成了合金，但是与传统的半导体工业所有不同，在纳米材料中引入特定的杂质时，一般对掺杂和合金化不作细致的划分，本文中沿用掺杂这个概念在ZnO纳米材