多晶硅片-国家级标准

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1、GB/T××××－200×200×-××-××实施200×-××-××发布发布中华人民共和国国家技术监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会太阳能级多晶硅块（讨论稿）GB/T××××—200×中华人民共和国国家标准ICS29.045H80IGB/T××××－200×太阳能级多晶硅块1　范围本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于利用定向熔铸技术所生产切割而形成的，用于切割制备多晶硅片的多晶硅块。2　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）

2、或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB191包装储运图示标志GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558测定硅单晶体中代位碳含量的红外吸收方法GB/T4061硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T14264半导体材料术语SEMIMF1389-0704Ⅲ

3、－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法3　术语定义、符号及缩略语GB/T14264确立的术语和定义适用于本标准。微晶：产品表面小范围内密集型的晶格排布。4　分类4.1　外形尺寸分类产品按外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm或由供需双方商定规格。5　要求5.1　外观要求太阳能级多晶硅块外观要求无可视裂纹、崩边、崩块、缺口；5.2　性能太阳能级多晶硅块性能要求具体见表1，在表1中未列出的规格要求由供需双方商定；4GB/T××××－200×表1项目要求电阻率，Ω·cm1.0∽3.0导电类型P型少数载流子寿命（裸测最小值），μs≥2氧浓度，atoms/cm3

4、≤1×1018碳浓度，atoms/cm3≤5×1017基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Totalmetalimpurities)总金属杂质含量：≤1硼浓度≤0.30磷浓度≤0.401.1　结构及表面质量5.3.1太阳能级多晶硅块中不允许出现氧化夹层；5.3.2太阳能级多晶硅块IR检测结果不可出现阴影、杂质、裂纹、微晶；5.3.3太阳能级多晶硅块表面粗糙度Ra≤0.2μm；5.3.4太阳能级多晶硅块几何尺寸偏差不超过±0.5mm。2　试验方法2.1　太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查；2.2　太阳能级多晶硅块电阻率检验按GB/T1552或GB/T6616进行；2.3

5、　太阳能级多晶硅块导电类型检验按GB/T1550进行；2.4　太阳能级多晶硅块少数载流子寿命检验按GB/T1553进行；2.5　太阳能级多晶硅块的氧含量检验按GB/T1557进行；2.6　太阳能级多晶硅块的碳含量检验按GB/T1558进行；2.7　太阳能级多晶硅块基体金属杂质按照SEMIMF1389-0704测试；2.8　太阳能级多晶硅块断面夹层检验按GB/T4061测试；2.9　太阳能级多晶硅块IR检测方法：将太阳能级多晶硅块至于850μm红外光源下，通过摄像机观察成像效果。6.10太阳能级多晶硅块表面粗糙度用表面粗糙度测试仪测得，测试点在所试表面随机获得。测试要求测量硅块的相邻两侧面，两

6、端面不用测量。6.11太阳能级多晶硅块几何尺寸采用通用量具测得，但最小精度应不小于0.02mm3　检验规则3.1　检验分类检验分：出厂检验和型式试验。3.2　出厂检验3.2.1　每批产品应经供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并附有产品质量合格的技术文件，方可出厂；3.2.2　出厂检验项目包括4.1、5.1、5.2中的电阻率、导电类型及少数载流子寿命和5.3.2、5.3.3、5.3.4项。3.3　判定规则3.3.1　每批产品的检验项目均采用全数检验，或由供需双方协商解决。3.3.2　合格质量水平(AQL)规定为Ac=0，Re=1，或由供需双方协商解决。4GB/T×

7、×××－200×1.1　型式试验1.1.1　有下列情况之一，应进行型式试验：A）新产品或老产品转厂生产的试制鉴定；B）正式生产后，如结构、材料、工艺有较大改变可能影响产品性能时；C）正常生产时，每隔一年进行一次；D）产品长期停产后，又恢复生产时；E）出厂检验结果与上次型式试验有较大差异时；F）国家质量监督机构提出进行型式检验的要求时。1.1.2　型式试验项目包括本标准所列全部要求的内容；1.1.3　型式试验样