远程温度监控项目设计方案

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1、远程温度监控项目设计方案1项目设计方案本设计的系统框图如下所示：温度传感器Web服务器Web客户端监控喇叭图1.1系统框图实施方案：实现对温度传感器进行温度的采集，通过Web浏览器访问BoaWeb服务器可以查看到温度的情况，然后在通过WebCGI对LPC2478板子上的DAC（DAC与喇叭连接）进行控制，来模拟对温度的控制。用户用web浏览器访问板子的web服务器，然后发送命令对板子进行控制。监测温度：将温度以网页的形式显示出来，网页每两秒刷新一次并监测温度，如果大于预设值则驱使DAC输出报警。升加1°C：用户点击该按钮即可实现对DAC的控制，是喇叭发出声响，来模

2、拟对温度的控制。降低1°C：用户点击该按钮即可实现对DAC的控制，是喇叭发出声响，来模拟对温度的控制。这三者的频率都不一样。WEB系统框图如下：52图1.2WEB系统框图522开发环境介绍2.1实验板是公司设计的ARM7系列实验板之一，采用了恩智浦公司基于ARM7TDMI-S内核、单电源供电、LQFP208封装的LPC2478，具有JTAG仿真调试，ISP编程等功能。实验板上提供了一些键盘、数码管、LED、喇叭等常用功能部件，还具有RS232接口电路、I2C存储器电路、USBOTG和HOST电路、CAN总线电路、SD卡接口、I2S接口电路、CAN总线电路、LCD接

3、口电路以及10M/100M以太网电路。另外，用户也可以更换兼容的MCU进行仿真调试，如LPC2468、LPC2470等。还为用户引出I/O接口以及地址和数据总线接口，极大地方便了用户进行32位ARM嵌入式系统的开发实验。2.2NORFLASH介绍系统采用芯片AM29LV160DB是16位的存储宽度，因此芯片的A0～A19脚与总线的A1～A20脚连接。片选信号使用CS0，这样本片NORFlash被配置为外部静态存储器的Bank0，其地址范围为0x80000000～0x801FFFFF。如下图所示：图2.1522.2.1AM29LV160DB简介AM29LV160DB

4、为2MB的NORFlash芯片，使用电平为2.7V～3.6V，存取时间70ns，封装形式为48脚的FBGA或TSOP封装。AM29LV160DB一共提供了35个扇区，其中4～34号扇区为64Kbyte或32Kword。对扇区的操作为字节模式或字模式。字节模式时，每个扇区的存储单元大小为8bit；字模式时，扇区的存储空间寻址范围小一半，但每个地址单元的数据大小为16bit。2.2.2AM29LV160DB的操作命令字对NORFlash存储器的数据读操作跟普通的RAM是一样的。但进行写、擦除、查询等操作时要使用写入组合命令字来实现。AM29LV160DB的命令字见下图

5、。图2.2例如：当要查询芯片的生产厂商ID号时，在字模式下，前三个周期分别向地址0x555、0x2AA、0x555处写入数据0xAA、0x55、0x90，第四个周期从地址0处即可获得厂商ID。2.2.3Norflash的映射LPC2400系列芯片具备外部存储器接口，通过外部存储器控制器（EMC）可以扩展两组共8个Bank的存储器组（静态存储器bank0～bank3，动态存储器bank0～bank3）。对于外扩的FLASH（NOR）型，则可以使用LDR指令读取数据，但是不能使用STR指令直接写数据，而是需要根据FLASH芯片写操作时序进行控制，实现FLASH的擦除编

6、程。522.3Nandflash介绍NANDFlash与总线的连接与SDRAM和NORFlash的连接不同，地址线只用了A21和A22做时钟使能和地址使能信号，数据线只用8位作为IO线。分别与总线连接。片选信号使用CS1，这样本片NANDFlash被配置为外部静态存储器的Bank1，其地址范围为0x81000000～0x81FFFFFF。其硬件连接图如下：图2.32.3.1Nandflash芯片工作原理Nandflash芯片型号为K9F2G08U0M，存储容量为256M×8bit（256M字节），采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。芯

7、片内部存储布局及存储操作特点一片Nandflash为一个设备(device),其数据存储分层为：1Block=64Pages(128K+4k)Byte1Page=(2K+64)Bytes1Block=(2K+64)Bx64Pages=(128K+4K)Bytes1Device=(2K+64)Bx64Pagesx2048Blocks=2112Mbits=264MB在每一页中，最后64个字节（又称OOB）用于NandFlash命令执行完后设置状态。重要芯片引脚功能I/O0I/O7：复用引脚。可以通过它向nandflash芯片输入数据、地址、nandflash命令以及输

8、出数据和操