flash存储器在线编程

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1、知识回顾单片机硬件结构寻址方式指令系统程序设计PTAPTBPTCPTDPTE键盘SCIA/D无SPIT/C综合实验一键盘输入（PTA口）、两个端口开关量输入（PTE0、1）、显示输出（PTB口）通过键盘输入一个字符，可以通过液晶显示出来；端口开关量的状态（0或者1），通过LCD显示出来第九章Flash存储器在线编程9.1Flash存储器概述与编程模式9.2MC68HC908GP32单片机存储器编程方法9.3MC68HC908GP32单片机flash在线编程实例9.1Flash存储器概述与编程模式9.1.1Flash存储器的基本特点与编程模

2、式9.1.2M68HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式9.1.1Flash存储器的基本特点与编程模式1．Flash存储器的基本特点（1）固有不挥发性（2）易更新性（3）成本低、密度高、可靠性好9.1.1Flash存储器的基本特点与编程模式2．Flash存储器的两种编程模式在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序，一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工作于这种情况，叫监控模式（MonitorMode）;Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程序运行过程中，有可能对Flash存储器区的数据或程序进行更新，Flas

3、h存储器工作于这种情况，叫用户模式（UserMode）或在线编程模式。9.1.2M68HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式1．M68HC08系列单片机Flash存储器的特点（1）编程速度快及可靠性高（2）单一电源电压供电（3）支持在线编程9.1.2M68HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式Flash存储器工作于监控模式的条件之一是：（1）复位向量（$FFFE～$FFFF）内容为“空”（$FFFF）。（2）在单片机复位时在IRQ引脚上加上高电压（1.4～2Vdd）,并给某些I/O脚置适当值。9.1.2M68HC0

4、8系列单片机Flash存储器的特点与编程模式两种模式各有优缺点：监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行编程写入，或是对芯片进行整体擦除与写入；用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的动态程序更新和运行数据的存储。9.2MC68HC908GP32单片机存储器编程方法9.2.1Flash存储器编程的基本概念9.2.2Flash存储器的编程寄存器9.2.3Flash存储器的编程过程9.2.1Flash存储器编程的基本概

5、念对Flash编程的基本操作有两种：1、擦除（Erase）擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1；2、写入（Program）而写入操作的含义，是将存储单元的内容由二进制的1变成09.2.1Flash存储器编程的基本概念Flash存储器在片内是以页（Page）和行（Row）为单位组织的。页和行的大小（字节数）随整个Flash存储器的大小变化而变化，但页的大小始终为行的两倍。MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器（地址为$8000～$FFFF），每页的大小为128字节，每行的大小为64字节；9.2.1Flash存储

6、器编程的基本概念注意：1、GP32的Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页（128字节）。2、GP32单片机的写入操作以行（64字节）基础，一次连续写入数据个数只能在一行之内。3、不经过擦除的区域，不能进行写入。9.2.2Flash存储器的编程寄存器1.Flash控制寄存器（FLashControlRegister—FLCR）－$FE08D7～D4位：未定义。D3—HVEN位：高压允许位（High-VoltageEnableBit）。D2—MASS位：整体擦除控制位（MassEraseControlB

7、it）。D1—ERASE位：擦除控制位（EraseControlBit）。D0—PGM位：编程（写入）控制位（ProgramControlBit）。9.2.2Flash存储器的编程寄存器2.Flash块保护寄存器（FLashBlockProtectRegister—FLBPR）－$FF7E9.2.3Flash存储器的编程过程MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作:1.页擦除操作下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节):⑴$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行页面擦除；⑵读Flash块保

8、护寄存器FLBPR；⑶向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0；9.2.3Flash存储器的编程过程⑷延时tnvs(>10μs)，；⑸$A→FLC