理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx

理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx

ID:58731852

大小:71.79 KB

页数:5页

时间:2020-09-30

理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx_第1页
理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx_第2页
理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx_第3页
理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx_第4页
理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx_第5页
资源描述:

《理工毕业论文通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程.docx》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程引言在采用TI数字信号处理器(DSP)的嵌放式硬件系统开发完成,软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后,怎样将编译、链接后生成的可执行文件(.Out),经过转换后的十六进制文件(.Hex)写入硬件系统的Flash存储器中,让系统脱机运行,这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。1Flash存储器的擦除Flash编程之前

2、,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。从图1可知,各总线周期的操作为:第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。完成上述操作后,Flash存储器被完

3、全擦除,内部数据恢复为初始状态,全为FFH。在TMS320C6711中,用C语言完成上述操作为:voiderase_flash(){*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x

4、0055;*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;}在TMS320C6711系中,Flash所在地址段CE1空,其开始地址0x90000000。,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在文件中被定:#defineFLASH_ADR10x90005555#defineFLASH_ADR20x90002AAA需要明的是,在Flash行擦除,DSP及EMIF外存器接口行初始化,CE1空定8位写模式。初始化函数如下:voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/CS

5、R=0x100;/*禁止所有中断*/IER=1;/*禁止除NMI外的所有中断*/ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中断*/*(unsignedvolatileint*)EMIF_GCR=0x3300;*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;*(

6、unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;}2Flash存器的程Flash存器行字程之前,需要它行3个周期的程指令操作,序如2。从2可知,各周期的操作如下:第一周期——向5555H地址的存元写入数据AAH;第二周期——向2AAAH地址的存元写入数据55H;第三周期——向5555H地址的存元写入数据A0H;第四周期——向地址的存元写入程数据;⋯⋯在TMS320C6711中,用C言完成上述操作:引言在采用TI数字信号理器(DSP)的嵌放式硬件系开完成,件也有CCS2.0集成开境下仿真通后,怎将、接后生成

7、的可行文件(.Out),后的十六制文件(.Hex)写入硬件系的Flash存器中,系脱机运行,是多DSP开人及初学者遇到并需要解决的。从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例,介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。1Flash存储器的擦除Flash编程之前,应对Flash进行擦除,使其每个数据位都恢复为1状态,即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期,总线时序如图1。从图1可知,各总线周期的操作为:第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第二

8、总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H;第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H;第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH;第五总线周期——向2AAAH地址的存

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。