只读存储器rom

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1、5.3只读存储器ROM5.3.1ROM的分类及原理根据制造工艺及应用功能不同，只读存储器分为掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM等几大类。1．掩膜只读存储器ROM掩膜ROM中储存的信息是在芯片制造过程中就固化好了的，用户只能选用而无法修改原存信息，故又称为固定只读存储器ROM。通常，用户可将自己设计好的程序（信息）委托生产厂家在生产芯片时进行固化（掩膜），但要根据用户程序（信息）制作专用的掩膜模具，该模具成本较高，故掩膜ROM适用于批量生产的产品。2.可编程的只读存储器PROM（ProgrammableROM）PROM是指

2、芯片出厂时初始信息为全1或全0的只读存储器（如图5.13），芯片出厂时，开关管T1与数据线之间以熔丝相连。用户可根据自己的需要，用电或光照的方法写入所需要的信息（熔断或保留熔丝以区分1和0）。但一经写入后，就只能读出，不能再更改（熔断后不能再连通）。因此，用户使用PROM只能进行一次编程写入。3．可擦除可编程的只读存储器EPROM（ErasablePROM）EPROM是可以反复（通常多于100次）擦除原来写入的内容，更新写入新信息的只读存储器。EPROM成本较高，可靠性不如掩膜ROM和PROM，但由于它能多次改写，使用灵活，所以常用

3、于产品研制开发阶段。EPROM的信息读出时间约为几百ns。EPROM采用MOS工艺4．电可擦除可编程的只读存储器EEPROM（ElectricallyErasablePROM）EEPROM（也称为E2PROM），其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不丢失。EEPROM的擦除不需紫外光的照射，写入时也不需要专门的编程设备。采用+5V电擦除的EEPROM，通常不需设置单独的擦除操作，可在写入的过程中自动擦除。EEPROM的另外一个优点是擦除时可以按字节分别进行（不像EPROM擦除时要把整个片子的内容通过紫

4、外光照射全变为1），因而使用上比EPROM方便。5.3.2典型ROM芯片举例1．EPROM27128Intel27128是16K×8位EPROM，存取时间为250ns。（1）引脚功能14根地址线A13～A0，8根数据线O7～O0，片选线，输出允许线，编程控制线，工作电源Vcc，编程电源Vpp。（2）工作方式——8种工作方式Intel公司典型EPROM产品的主要性能指标如表所示。DIP：DoubleIn-linePackage双列直插式组装2．EEPROM2816AIntel2816A是2K×8位EEPROM，数据读出时间为200～2

5、50nS，擦除和写入（同时进行）为10mS，读工作电压和写（擦）工作电压均为5V，故不需要专门的编程器，且可实现在线读写。（1）引脚功能——有11根地址A10～A0，8根数据输入输出线I/O7～I/O0，片选线，输出允许线，写允许线，工作电源Vcc。（2）工作方式——7种工作方式Intel公司典型EEPROM产品的主要性能指标如表所示。5.3.3ROM的新发展1．一次可编程只读存储器OTP（OneTimePROM）2．快擦写存储器FlashMemory3．非易失随机存储器NVRAM（NonVolatileRAM）除了没有擦除窗口，其

6、它工艺与EPROM完全相同，但它只能编程一次。俗称“闪存”，类似于EEPROM，但它擦除的是整个存储器阵列或者是一个大的存储单元块，而不是一个字节、一个字节擦除。是一种非易失性的随机读写存储器，它既能快速存取，断电时又不会丢失数据，所以同时具有RAM和ROM的优点。