晶圆切割站培训资料

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1、晶圆切割站学习手册A、DFD651机台了解CO2滤净机显示器指示灯升降台料盒切割轴直行操作架旋转操作架2切割工作盘清洗工作盘旋转操作架直行操作架切割轴、切割刀操作键盘3DFD651晶圓切割機的兩根切割軸以及切割刀切割Z1軸切割Z2軸4电源控制开关总水阀总气阀（机器左侧面）（机器右侧面）（机器后部）5CUTTINGBLADE冷却刀具用水WATERSHOWER喷在刀刃上，清洗刀刃WASHINGSPRAY清洗晶圆用水WATERSPRAY清洗晶元用水纯水流量表（位于机台正左方）6B、键盘讲解：SETUP：测高快捷键DEVIC

2、EDATA：调出参数快捷键AUX：不用NEWCST：按下后使料盒从第一个第一格开始取料S/TVAC：清洗盘真空压力开/关SYSINIT：系统初始化CUTWATER：切割水开/关SPNDL：转轴开/关C/TVAC：切割盘真空压力开/关ZEM：转轴紧急抬起按钮INDEX：索引SCRINDEX：SCR索引SHIFT：键盘切换7C、日常操作：开机；系统初始化（快捷键SYSINIT）确认刀片型号及使用寿命未到极限（F5.6）测高（F5.3.1or快捷键SETUP→F3）刀片基准线校准（F5.5）确认生产型号（F4）贴片（使用晶

3、圆贴片机）单品种全自动切割（F1→快捷键NEWCST→START）首件检查（使用工具显微镜）目检（使用普通显微镜）机器维护：换刀（在F5.1菜单下更换）机器异常情况处理8晶圆贴片步骤1、准备工作打开离子风扇准备擦净的铁圈若干有效距离60cm92、用气枪吹净机器表面3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒贴片104、取一盒晶圆，先从外部观察晶圆有无破损，若有，通知工程师处理；然后打开，再确认有无破片贴片115、双手小心取出一片晶圆6、将其小心放置在工作盘上，先将晶圆底部靠近工作盘的底线，慢慢放下晶圆，左手不放开，用右手打

4、开真空开关贴片127、放上铁圈，两个卡口卡住工作盘上的两个突出点8、拉出胶布，先松开，让前部贴住贴片机的前部；再拉紧胶布，贴住贴片机后部贴片139、用滚筒压过胶布10、看胶布与晶圆间有无气泡，若有超过0.5mm的气泡，将其UV照射后重新再贴贴片1411、盖上滚筒，用滚刀刮断胶布12、按住铁圈，小心撕开胶布贴片1513、将贴好的晶圆拿下，用双手将其放进料盒注意：料盒不可以重叠放置贴片16贴片的注意事项1.贴片时除小手指外,其余四个手指均需要戴指套.2.贴片时要让晶圆的切线边与贴台切线边重合.以保证不让晶元贴偏.3.晶元

5、承载台不可以用锐利的物品碰触,防止划伤晶圆承载台.4.贴片时不可以使滚筒滚动太快,且不可用力过大导致压伤或压迫晶元.5.不使用贴片机时最好把盖子盖上.防止异物掉落到晶圆的承载盘上.17UV照射按住锁定按钮向后推开盖子将须照射的工件表面朝上放入照射室按START进行照射18首件检查：将要检查之晶圆放置工具显微镜平台上。使用物镜倍率50倍检视，并调整焦距至清楚为止。将平台移到屏幕显示晶圆最左边的短边切割道。按照首检规格依次检查，并记录数值于割片外观检查表用黑色抗静电镊子，夹起1颗晶片，将晶片电路朝向自己，调整晶片水平，量

6、测晶片两侧垂直面，不可大于5μm，结果记录于割片外观检查表垂直面量测完毕后，再检查晶片底部（背面），崩碎范围不可大于100μm，结果记录于割片外观检查表。19切割第一片及每切割5片必须抽检1片，检验项目有垂直度、L型至刀痕距离、及背崩检查，每片必须检查4个Chip以上E、侧面图（背崩）D≦100μm底边<5μmC/D、侧面图（垂直面）特例：T3、4B4D的背崩范围不可大于50μm首件检查20目检方法：每片切割完毕之晶圆，必须全部检查。将切割完成之晶圆，放置在显微镜平台上。调整至最大倍率。调整焦距至眼睛可看清楚。移动晶

7、圆至短边切割道，检查短边崩碎范围是否影响至晶片，若崩碎至晶片，则以黑色油性签字笔在晶片中央点个黑点。再调整显微镜倍率为30倍。调整焦距到眼睛可看清楚。再移动晶圆至最左边，检查长边切割道崩碎范围是否影响至晶片及晶片上是否刮伤电路，或晶片上有任何异状，若有以上情况，必须以黑色油性签字笔点在晶片中央。检查后，须将以上黑点数量、刮伤数量、其它不良记录于晶圆切割站目检状况记录表。若黑点数量超过30颗，必须马上通知领班或设备工程师处理211、点黑点时，手不允许碰到晶圆a.目检晶圆四周，检查切割痕，看有无未切穿的现象，若有，则尽快

8、通知工程师修机2、切割道崩坏超过保护边的就必须当作不良点上黑点3、目检步骤：b.目检短边切割道，看有无崩坏到保护边的现象，若有，则点上黑点目视检查22压伤不良图片崩巴不良图片刮伤不良图片铝电极c.目检长边切割道，看有无崩坏到保护边或晶片表面刮伤的现象，若有，则点上黑点d.对于大面积的刮伤，可利用显微镜的斜光看出e.晶圆切割当班工程师须对已目检晶