溶胶凝胶法制备银钛酸铅复合薄膜及其电学性能的研究

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1、摘要近年来，金属一介电体复合材料由于具有渗流效应，在高介电常数材料方面具有良好的应用潜力，获得了研究者广泛的关注。随着微电子器件向小型化发展，具有高介电常数的金属．介电体复合薄膜的制备研究也逐渐成为材料科学及固体物理学领域的一个重要研究热点。然而，对于金属．介电体复合薄膜，一方面薄膜在厚度方向上的尺度有时仅为几百纳米，如果薄膜内的金属颗粒尺寸较大，导电相颗粒就很容易在薄膜厚度方向上形成导电通路而将上下电极导通；另一方面由于渗流效应的产生本质是通过金属颗粒在材料中形成一系列表面面积大、间距相对较小的微电容器结构，以使材料表观介电常

2、数大大增加，微电容器结构能否达到这一要求决定于薄膜内金属颗粒的形貌。可见，在薄膜材料中，寻找更有效的技术和方法对薄膜中金属相的含量和粒度进行控制，对渗流型高介电常数薄膜材料的成功突破将具有十分重要的意义。本论文研究目的在于采用溶胶凝胶法，对渗流型高介电常数的Ag．PbTi03复合薄膜进行制备研究。探讨薄膜内金属颗粒和介电基质的形成和结晶规律，控制在薄膜中形成纳米量级的金属颗粒和合适的颗粒分布；引入渗流理论的思想，掌握薄膜中渗流效应的产生原理，为高性能薄膜的制备打下坚实的基础。本文全面回顾了高介电常数复合材料、导体．介电体复合薄膜

3、的研究进展，比较了常用导体一介电体复合薄膜的性能和制备方法，总结了制备导体一介电体复合薄膜的影响要素。用XRD、SEM、EDS、TG／DTA、FTIR、阻抗分析仪和高阻仪等分析了Ag—PbTi03复合薄膜的制备、微观结构、介电和电导性能。对Ag+的引入对钛酸铅晶相形成的影响、复合薄膜中金属银颗粒的形成机理、金属一介电体复合薄膜介电驰豫机制和电导机制进行了详细的研究，具体研究内容及研究结论如下：(1)研究了Ag+的引入对钛酸铅晶相形成的影响。制备掺银钛酸铅薄膜时，Ag+的引入对钛酸铅晶相形成的形成，主要表现为以下两个方面：一方面，

4、硝酸银分解原位生成单质银晶相时，会优先消耗薄膜中的铅，造成钛酸铅晶相结晶时缺铅，促使薄膜中生成焦绿石相钛酸铅；另一方面，硝酸银摘要在溶胶中能够发生醇交换反应生成Ag．O．Ti键，使Ag+在薄膜晶化过程中保持较高的价态，而进入钛酸铅晶格中。综合考虑不同热处理温度和不同升温过程对薄膜中相形成的影响时发现：快速升温过程对薄膜进行热处理有利于调节薄膜中的银含量和得到钙钛矿相较多的钛酸铅基质的晶相结构，热处理温度应该选择在6000C左右为宜。(2)研究了溶胶中过量铅的引入对银一钛酸铅复合薄膜晶相形成的影响。溶胶配方中引入过量铅后，有更多的

5、Pb抖参与钛酸铅晶相形成，因而抑制了焦绿石相钛酸铅的形成，薄膜中生成了晶格完整的钙钛矿相钛酸铅；同时还降低了溶胶中Ar的活度，减少钙钛矿相钛酸铅中固溶的Ag+量。溶胶中引入的过量铅，在热处理过程中会固溶入微米级单质银颗粒的晶格形成银铅合金，降低了微米级银颗粒的熔点，导致它们在远低于纯单质银熔点的温度下就开始挥发。对Pb／Ti=1．3，Ag／Ti=0．5时，薄膜中生成的银铅合金颗粒的挥发过程进行了具体研究，计算得到其挥发的活化能为88．69kJ／tool，表观频率因子为68．007s～。过量铅配方制备的薄膜中，固溶有铅的微米级银挥

6、发后，钙钛矿相钛酸铅晶格中固溶的Ag+会被继续还原形成纳米银颗粒。纳米银颗粒的生成量受薄膜中银挥发量以及热处理温度两个因素影响。在6000C下热处理时，纳米银颗粒的生长机制介于颗粒与基体边界扩散控制的机制和基体内部体相扩散控制的机制之间。根据这一结果，通过在后处理过程中控制低熔点银铅合金的挥发过程，能够在薄膜中原位形成纳米银颗粒，得以避免在制备纳米银．介电体复合薄膜时为实现纳米银颗粒的形成而需要对溶胶条件进行繁杂的控制，为制备纳米银一介电体复合薄膜提供了一个简单的方法及～个新思路。(3)研究了络合剂及水解条件对银一钛酸铅复合薄膜

7、晶相形成的影响。分别在溶胶中引入LA，DEA和CA这三种多配位基络合剂后，均能够增强Pb”与Ti—O网络的结合，抑制焦绿石相钛酸铅的生成，促进钙钛矿相钛酸铅的生成。薄膜内形成的银颗粒的大小，受Ag+与Ti．O的结合能力影响，随着Ag+与Yi．O网络的结合能力按CA>DEA>LA的次序减弱，薄膜中银颗粒的大小按CA

8、，发现在空气气II氛和还原气氛中单次热处理时，单质银颗粒均通过Ago的扩散而成核和长大；在空气气氛中6000C先处理，再在还原气氛中后处理时，单质银颗粒通过形成A932+为成核中心而长大。对还原气氛和空气气氛单次热处理下，银颗粒形成的热力学条件进行了理论计算，得