数字电路讲义-第八章

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1、第八章存储器与可编程逻辑器件第一节概述EPROMFPGA第八章存储器与可编程逻辑器件第一节概述第八章存储器与可编程逻辑器件第一节概述第二节随机存取存储器--RAM（RAM--RandomAccessMemory）随机存储器的特点是：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称RAM。RAM按功能可分为静态、动态两类一、静态随机存取存储器--StaticRAM8×4位SRAMA0A1A2DI3DI2DI1DI0DO3DO2DO1DO08×4位SR

2、AM图形符号存储单元简图◆SRAM的写操作时序三总线如何配合？◆SRAM的写操作时序◆SRAM的读操作时序6116二、动态随机存取存储器--DynamicRAM存储、读出过程写读二、动态随机存取存储器--DynamicRAM刷新动态RAMDRAM的优点:存储容量大,集成度高DRAM的缺点:需要定时刷新DRAM的结构DRAM的工作方式三、RAM的扩展与应用1、容量扩展位扩展：存储器并行数据位数的扩展字扩展：存储深度的扩展字扩展：存储深度的扩展低位地址直接相连高位地址译出片选常用RAM组件：RAM2114：

3、共有10根地址线，4根数据线。容量为：1024字×4位（即1K×4）RAM6116：共有11根地址线，8根数据线。容量为：2048字×8位（又称为2K×8）AM21L41：共有12根地址线，1根数据线。故其容量为：4096字×1位（即4K×1）AM12168：共有12根地址线，4根数据线。容量为：4096字×4位（即4K×4）RAM2114、6116的管脚图123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管

4、脚图2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管脚图A2A711112141324A8D5D6D7RDWRRAM2114、6116的管脚图地址数据控制6116例8-1试将容量为256×4位的SRAM(AM9122)，扩展成512×8位的RAM组合分析：位扩展4→8需两片AM9122字扩展256→512深度为原来的两倍2×2＝4共需4片容量为256×4位的SRAM(AM9122)片选数据片选多块RAM构成内存

5、条CPU与RAM的连接PC控制接口卡中RAM的电路双向三态门三、RAM的扩展与应用1、双口RAM三、RAM的扩展与应用1、双口RAM应用：显示缓存、字符合成器三、RAM的扩展与应用2、RAM用作移位寄存器应用：大容量移位延时：音乐喷泉三、RAM的扩展与应用3、先进先出存储器——FIFO（FirstInFirstOut）应用？●PC-HD接口●存储变调半满标志全满标志案例：ATA接口原理？●不同传输率总线转换三、RAM的扩展与应用3、先进先出存储器--FIFO用边读边写双端口RAM构成FIFO三、RAM的

6、扩展与应用3、先进先出存储器--FIFO用标准RAM构成FIFOAI-AO=?只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。一、ROM的基本结构及工作原理ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。ReadOnlyMemoryMROM——PROM——EPROM——EEPROM——第三节只读存储器(ROM)输出电路存储矩阵字线位线A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端W3W0W2W1固定ROMROM主要由地址译码

7、器存储矩阵输出电路000101111100110011001001地址A1A0D3D2D1D0内容A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC译码器K:输出控制端给出任意一个地址码，译码器与之对应的字线变为高电平，进而从位线上便可输出四位数字量。字线位线图中存储器的内容ROM阵列示意图ROM阵列示意图ROM阵列示意图0和1的输出？10ROM阵列示意图10HLROM阵列示意图0110符号和定时图A关联的作用:当Am=1时，受影响的输入、输出端被选通，允许各输入端上的数据写入存储器中的m

8、号区域，或者允许m号区域的内容从输出端被读出；Am=0时，受影响的输入、输出端被封锁，不允许写入也不允许读出特点:出厂时全部存储“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0”,然而只能改写一次。字线位线熔断丝将熔丝烧断，该单元则变成“0”。二、可编程ROM（PROM）二、可编程ROM（PROM）编程图▼EPROM—ErassablePROM所存储的信息可以用紫外线照射擦除，重新编程。三、可改写PROM（EPROM和EEPROM）ROMPROM