材料化学试卷A及答案.doc

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1、1、下列材料属于结构材料的是超耐热合金2、下列各项不是液晶分子排列形式的是（B）A：向列相B：多晶相C：近晶相D：胆甾相3、位错线平行于滑移方向的是螺旋位错4、产生X射线衍射效应的条件是满足（A）课本是CA：朗伯—比尔定律B：摩西利定律C：布拉格定律D：费克定律5、CVD和XRD是（B）的英文缩写。B：化学气相传输和X射线衍射分析方法6、晶须材料的长径比一般为（A）A：5～10007、紫外分光光谱中，紫外光区的波长范围是（A）A：0.1~0.4μm8、水热法制晶体材料过程中，不可能用到的设备是（C）A：烘箱B：高压釜C：振荡仪D：高温炉9、

2、下列哪种方法不能用来制备晶体材料（C）A：局部氧化法B：陶瓷法C：快速冷却法D：化学气象沉积法10、下列波谱分析技术中属于吸收波谱的是（A）A：紫外分光光谱1、晶体的对称要素中，点对称要素种类有对称面、对称中心、对称轴、旋转反演轴；含有平移操作的对称要素种类有滑移面、螺旋轴。2、晶体的宏观对称性中有八种对称元素，他们分别是1、2、3、4、6、I、m、4。3、相变推动力主要有过冷度、过饱和度和过饱和蒸汽压三种。4、四面体型分子CH3Cl具有_1度旋转轴、_3度旋转轴_、_对称面_等对称元素。5、不属于非晶体材料基本特性的是长程无、短程有序和热

3、力学亚稳态三种。6、晶体材料主要具有均匀性、各向异性和多面体外形的特征。7、液晶材料按分子排列的结构可分为向列相、胆甾相和近晶相三种。。8、晶体结构中的点缺陷类型共分间隙原子、空位和杂质原子三种。9、能与C、N、B形成硬质合金的元素包括ⅣB、ⅤB和ⅥB族金属。10、在氯化氢气氛中焙烧ZnS时，晶体中将产生Zn2+空位缺陷和Cl-离子取代S2－的杂质缺陷，这两种缺陷可以分别用符号VZn``和ClS*来表示。11、TEM、DTA和IR是透射电子显微镜、差热分析和红外分子吸收光谱法的英文缩写。三、名词解释（每题6分，共12分）1、弗伦克尔缺陷与肖

4、特基缺陷。答：弗伦克尔缺陷：当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。（3分）肖特基缺陷：如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。（3分）2、刃位错与螺位错。答：刃位错：滑移方向与位错线垂直的位错称为刃位错；（3分）螺位错：位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺位错。（3分）四、简答题（1、2、3题每题6分，4、5题每题5分，共28分）1、用能带理论说明金属、半导体和绝缘体的区别

5、。答：根据晶体的能带理论，金属晶体中布里渊区一般有重叠，且部分充填。同一区相邻状态相应的能级非常接近，只要很下的电场就能把电子提升到相邻的较高能级，导电性好；（2分）半导体物质，第一布里渊区是填满的，和空的第二布里渊区之间只有较小的能量间隙，温度升高时，第一布里渊区顶部的电子受到激发，进入到第二布里渊区底部，向自由电子一样，在外加电场的作用下，表现出导电性；温度越高，激发到第二布里渊区的电子越多，其导电性也越强；（2分）绝缘体物质，电子填满最低的一系列能带，满带与空带之间的能量间隙很大，电子不能被激发到空带中，因此不能导电。（2分）2、什么

6、是非化学计量化合物？试举几个常见的例子（至少三个）。答：非化学计量化合物是指化合物原子数量的比例,不符合定比定律,即非简单的固定比例关系。（3分）例如化合物：Zn1+δ、KδWO3、TiO1+δ（3分）3、相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？解：随自由能的变化而发生的相的结构的变化；（2分）一级相变、二级相变。（各2分）4、在缺陷反应方程式中，以化合物MaXb为例，说明位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？答：位置平衡是指在化合物MaXb中，M格点数与X格点数保持正确的比例关系，即M：X=a：b；（2分）电中性是指在方程

7、式两边应具有相同的有效电荷；（2分）质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。（1分）5、何为均匀成核和非均匀成核？答：均相成核：当母相整个体系在化学上、能量上和结构上都相同时，发生的成相为均相成核，这种成核是在整个体系内发生的。（2分）非均相成核：母液中存在某界面（空位、杂质、位错），成核会优先在界面上进行，这种成核系统为非均相成核。（3分）五、分析回答下列问题（每题10分，共20分）1、列举2种常用的晶体材料的制备方法，并且简要介绍各种方法的原理和过程。答：常用的晶体材料的制备方法有陶瓷法和化学气相沉积法等方法；（2分）（1）陶瓷法：

8、是恒温条件利用固体化合物反应制备材料的方法，晶体物质互相混合，通过接触的界面发生离子的自扩散和互扩散，或原有化学键的断裂和新化学键的形成及新物相的生成，晶体结构产生变化，这种变化