秦曾煌电子辅导班教案-模拟部分

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1、电子技术辅导班教案2010年10月第14章半导体二极管和晶体管教学目的和要求：1、掌握二极管外特性和主要参数，正确理解PN结；2、正确理解三极管工作原理，熟练掌握其外特性和主要参数重点：1、半导体导电特性2、PN结的形成与特点3、二极管结构及伏安特性4、三极管工作原理及特性1、根据导电性能分为：导体、半导体、绝缘体2、导电性能取决于载流子浓度。3、本征半导体：纯净、晶体结构－－稳定的共价键结构4、本征半导体的导电机理：热激发－－自由电子导电、空穴导电5、提高半导体导电性能方法：加热光照、掺杂6、N型半导体自由电子浓度远大于空穴浓度。多数载流子（多子）--

2、--自由电子少数载流子（少子）----空穴。7、P型半导体中空穴浓度远大于自由电子浓度多子----空穴，少子----电子。8.在杂质半导体中多子的数量主要与掺杂浓度有关。9.在杂质半导体中少子的数量主要与温度有关。10.当温度升高时，少子的数量增多。11.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是空穴电流，N型半导体中的电流主要是电子电流。13、PN结形成后，空间电荷区中几乎没有载流子。(故空间电荷区的电阻率很高)14、PN结正向偏置，空间电荷区变窄。多子扩散运动增强，形成正向电流；15、PN结反向偏置，空间电荷区变宽。多子扩散运动被抑制，少子漂移运动

3、增强，形成微弱的漂移电流；16、PN结具有单向导电性。12、N型半导体中由于多数载流子为自由电子，P型半导体中由于多数载流子为空穴，但是不论是P型还是N型半导体材料本身都不带电,呈电中性。17、D的伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12V例1：取B点作参考点，断开二极管，分析

4、二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3kBAUAB+–V阳>V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12V例2:D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为求：UABD2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3kAD2UAB+–UD1=6V，UD2=12V∵UD2>UD1∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看

5、作短路，UAB=0Vui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui<8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。8V例1：ui18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––课堂练习(P2814.3.2)10V5V10V5V课堂练习(P2814.3.4)18稳压二极管1.符号UZIZIZMUZIZ2.伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。_+UIO曲线越陡，电压越稳定。19、晶体管的穿透电流ICEO是表

6、明该管温度稳定性好坏的参数BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管20、晶体管三种工作状态的电压和电流(a)放大+UBE>0ICIB+UCEUBC<0+(b)截止IC0IB=0+UCEUCCUBC<0++UBE0(c)饱和+UBE>0IB+UCE0UBC>0+IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O饱和区截止区放大区IB(A)UBE(V)204060800.40.8OBECBECNPN型三极管PNP型三极管P3014.5.1BBEE习题：P3014.

7、5.4ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区21、由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEOP3014.5.21、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。(a)电流控制元件(b)电压控制元件(c)不可控元件2、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。(a)D1导通，D2、D3截止(b)D1、D2截止，D3导通(c)D1、D3截止，D2导通(d)D1、D2、D3均截止3、电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。(a)－2V(b)0V(c)6V(d)12V4、电路如图所

8、示，已知R15k，R215k，R310k，RC2k，RE2k