PCB全流程讲解精讲.ppt

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1、PCB全流程讲解2021/7/28开料(原理及目的)开料(BOARDCUT):目的:依制前设计所规划要求,将基板大料裁切成工作所需尺寸主要原物料:基板基板由铜箔和绝缘层压合而成,依要求有不同板厚规格,依铜厚可分为H/H;1oz/1oz;2oz/2oz等种类注意事项:避免板边毛刺影响品质,裁切后进行磨边,圆角处理考虑涨缩、板件可靠性等方面影响,裁切板送下流程前需进行烘烤裁切须注意经纬方向一致的原则内层制作(流程及目的)流程介绍:目的:利用影像转移原理制作内层线路DES为显影;蚀刻;去膜连线简称前处理贴膜曝光DES开料内层制作(前处理)前处理(PRETREAT):目的:去除铜面上的

2、污染物,增加铜面粗糙度,以利于后续贴膜制程主要原物料:尼龙刷、火山灰设备:IS磨板机及加装的水洗段铜箔绝缘层前处理后铜面状况示意图内层制作(磨板图示)内层制作(贴膜)压膜(LAMINATION):设备:日立自动贴膜机/志圣手动贴膜机目的:将经处理之基板铜面透过热压方式贴上抗蚀干膜主要原物料:干膜(DryFilm)YQ-40PN干膜厚度40UM主要用于普通曝光机曝光LDI-540干膜厚度40UM主要用于激光曝光干膜压膜前压膜后内层制作(正负片)正负片的定义:正片:(所见即所得)线路区域为阻光区(无论是黑色阻光或是棕色阻光)负片:(所见非所得)线路区域为透光区内层制作(曝光)曝光(

3、EXPOSURE):目的:经光源作用将原始底片上的图像转移到感光底板上主要原物料:底片内层所用底片为负片,即白色透光部分发生光聚合反应,黑色部分则因不透光,不发生反应,外层所用底片刚好与内层相反,底片为正片UV光曝光前曝光后内层制作(普通曝光)内层制作(LDI曝光)UVLaserLensSystemPolygonBeam SplitterStagemovementduringimagingPanel内层制作(LDI定位原理)VacuumTablePCBPanelOpticalRegistrationHoles内层制作(显影)显影(DEVELOPING):目的:用碱液作用将未发生

4、化学反应之干膜部分冲掉主要原物料:Na2CO3使未发生聚合反应的干膜冲掉,而发生聚合反应的干膜则保留在板面上作为蚀刻时之抗蚀保护层显影后显影前内层制作(原理)利用CO32-与干膜阻剂中羧基(-COOH)进行酸碱中和反应,形成COO-和HCO3-,使未经紫外线辐射的阻剂形成阴离子团而剥离,经紫外线辐射部分不与其反应而保留,反应式如下:CO32-+Resist-COOH→HCO3-+Resist-COO-其中CO32-主要来源于Na2CO3;Resist-COOH为干膜中反应官能基团。内层制作(蚀刻)蚀刻(ETCHING):目的:利用药液将显影后露出的铜蚀掉,形成内层线路图形主要原

5、物料:蚀刻药液(CuCl2)补加物料:GC30(主要成份氯酸钠),HCL,水蚀刻后蚀刻前内层制作(蚀刻原理)蚀刻过程中,母液中的Cu2+具有氧化性,能将板面上的裸露的单质铜氧化成Cu+(见反应1)。Cu+CuCl2→Cu2Cl2(1)形成的Cu2Cl2是不易溶于水的,但与过量Cl-反应后,能形成可溶性的络离子(见反应2)。Cu2Cl2+4Cl-→2[CuCl3]2-(2)随着铜的蚀刻,溶液中的Cu+越来越多,蚀刻能力很快就会下降,以致最后失去效能。为了保持蚀刻能力,必须对蚀刻液进行再生,使Cu+重新转变成Cu2+,继续进行正常蚀刻(见反应3)。6CuCl+NaClO3+6HCl

6、=6CuCl2+3H2O+NaCl(3)主要组分:CuCl2HClNaClO3内层制作(去膜)去膜(STRIP):目的:利用强碱将保护铜面之抗蚀层剥掉,露出线路图形主要原物料:NaOH去膜后去膜前内层检验(流程)流程介绍:目的:对内层生产板进行检查,挑出异常板并进行处理收集品质资讯,及时反馈处理,避免重大异常发生CCD/PE冲孔AOI检验VRS确认内层检验(冲定位孔)CCD/PE冲孔:目的:利用CCD冲孔机或PE冲孔机在内层板边冲出检验作业之定位孔及铆钉孔主要原物料:冲头注意事项:CCD及PE冲孔机机冲孔精度直接影响铆合对准度,故机台精度定期确认非常重要内层检验(AOI检验)A

7、OI检验:全称为AutomaticOpticalInspection,自动光学检测目的:通过光学反射原理将图像回馈至设备处理,与设定的逻辑判断原则或资料图形相比较,找出缺点位置注意事項:由于AOI所用的测试方式为逻辑比较,一定会存在一些误判的缺点,故需通过人工加以确认内层检验(原理)光纤光纤光纤反射光散射光散射光视频图像数字信息(黑/白)灰度数据镜头滤光圈CCD数据获得内层检验(图像变换)CCD图像:镜头所拍摄到的灰度图被测板:这是现实中的实际板最终图像:用经过三个灰界值判断所得到的数字信息

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