可控硅参数名词解释 .pdf

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1、晶闸管参数名词解释1.反向重复峰值电压（V）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大RRM瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。注：反向重复峰值电压（V）是可重复的，值大于工作峰值电压的RRM最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。2.反向不重复峰值电压（V）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不RSM重复最大瞬时值瞬态反向电压。1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。2）测试条件：a）结温：25℃和125℃；b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS的正弦半波；d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：

2、反向不重复峰值电压注：反向不重复峰值电压（V）是外部因素偶然引起的，值一般大RSM于重复峰值电压的最大值电压。通常标准规定V=1.11V。RSMRRM应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。3.通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。4.通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。5.浪涌电流（I）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并TSM使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重

3、复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间6.通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。2）测试条件：a)加通态电流前结温：125℃；b)门极触发条件：I=3～5I；c)开通前断态电压V=2/3V；d)开通后通态电流峰值：GMGTDMDRM2I～3I；e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续T（AV）T（AV）时间：5s。7.I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。1）测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级

4、晶闸管的I2t值2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波；3)I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通过浪涌电流i对其持续时间t积分t∫i2dt，即可求得I2t值。t8.门极平均值耗散功率（P）：在规定条件下，门极正向所允许的G（AV）最大平均功率。1)测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值2)测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)主电路条件：阳，阴极间断路。3）测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压

5、表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率P，并保持3S时间，然后将电源的输出调回零；c)G（AV）测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确认。9.反向重复峰值电流（I）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰RRM值电流。10.断态重复峰值电流（I）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰DRM值电流。1）测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的断态重复峰值电压下的断态重复峰值电流和反向重复峰值电压下的反向重复峰值电流。2）测试条件：a)结温：25℃和125℃；b)断态电压和反向电压：断态重复峰值电压（V）或反向重复峰值电压（V）；DRMRRMc)门极断路。3）测量程序：A)被

6、测器件分别在25℃和125℃下，调节交流电压源，使断态电压达到断态重复峰值电压，由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流（I）。DRMB)被测器件主电极的极性交换，重复上述操作即可测得反向重复峰值电流（I）。RRM11.峰值通态电压（V）：晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电TM流值时的瞬态峰值电压。1）测试目的：在规定条件下，用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。2）测试条件：a)结温：出厂试验为25℃，型式试验为25℃和125℃；b)通态峰值电流：通态平均电流的π倍；c)电流脉冲可以使单次的，也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲；d)电流脉冲宽度应足够宽，以使被测器件完全开通。3）

7、测量程序：a)电源电压和门极触发电压先调至零。b)被测器件按规定压力和接线法接入电路中。结温调至规定值，门极电路调至规定的偏置条件。C)电源电压由零增加，通过L，C振荡，使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值，此时示波器上显示的数值即为所测通态峰值电压。12.门槛电压：由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。13.斜率电阻：由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。14.延迟时间：在用门极脉冲使晶闸管