重庆市重庆一中高三下学期第一次月考(理综化学)

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1、重庆一中高高三下期第一次月考理科综合试题理科综合能力测试试题分选择题和非选择题两部分,第一部分(选择题)1至6页,第二部分(非选择题)6至11页,共11页,满分300分,考试时间150分钟。注意事项:1.答题前,务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡规定的位置上。2.答选择题时,必须使用2B铅笔将答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,用像皮擦干净后,再选涂其它答案标号。3.答非选择题时,必须使用0.5毫米黑色签字笔,将答案书写在答题卡规定的位置上。4.所有题目必须在答题卡上作答,在试题卷上答题无效。以下数据可供解题时参考:相对原子质量

2、:H1C12N14O16Na23Al27S32Cl35.5K39Ag108Ba1376.下列过程都与能量变化有关,其中表述不正确的是A.CO(g)的燃烧热是283.0kJ/mol,则表示CO(g)燃烧热的热化学方程式为CO(g)+O2(g)===CO2(g);△H=—283.0kJ/molB.铝热反应会放出大量的热,因此常温下就能顺利发生C.拆开化学键需要吸收能量,形成化学键会释放能量D.化学电池是把化学能转化为电能的装置7.下列各组离子在溶液能大量共存,加入Fe2(SO4)3溶液后仍能大量共存的是A.Na+I- CO32-ClO-B.F

3、e2+H+K+NO3-C.Ba2+Na+ SCN- Cl-D.Cu2+Fe2+Cl-NO3-8.重庆市天原化工厂曾发生特大氯气泄漏和三氯化氮爆炸事故,造成多人死亡和失踪。已知三氯化氮分子结构与氨相似,下列有关说法不正确的是A.消除储气罐上空泄漏出的高浓度氯气,可喷洒碱液B.发生氯气泄漏时,附近人员可用浸有碳酸钠溶液的毛巾捂住鼻孔进行自我保护C.氯气能腐蚀金属材料,这种腐蚀主要属于电化学腐蚀D.三氯化氮分子是极性分子9.下列选项中所涉及到的两个量一定相等的是A.等物质的量的Al分别与足量的盐酸和烧碱反应转移的电子数B.36gH2O和2mol

4、O2在标准状况下所占的体积C.中和浓度和体积都相同的盐酸和醋酸两溶液至中性所消耗氢氧化钠的量D.pH相等的H2SO4和CH3COOH稀释相同倍数之后溶液的pH10.下列叙述中正确的是A.强电解质在水中溶解度一定大于弱电解质在水中的溶解度B.将KCl溶液降低温度,所得溶液中溶质的质量分数一定减小C.某物质饱和溶液的质量分数为a%,此温度下该物质的溶解度一定大于agD.将标准状况下的饱和CO2水溶液置于常温下,一定会放出CO2气体11.超氧化钾晶体中氧元素的化合价部分为0价,部分为-2价,下图所示为超氧化钾晶体的一个晶胞(晶体中最小的重复单元

5、),则下列说法错误的是A.超氧化钾的化学式为KO2B.超氧化钾具有较强的氧化性C.晶体中,0价氧原子与-2价氧原子的数目比为3:1D.晶体中每个K+周围有6个O2-,与每个K+距离最近的K+有8个12.在下列实验中,不能达到目的的是A.根据Na2CO3和Na2SO3水溶液碱性强弱,确定碳和硫两元素非金属性的强弱B.用石墨作电极电解Mg(NO3)2、Cu(NO3)2的混合溶液,确定铜和镁的金属活动性强弱C.进行H2O和H2S的热分解实验,确定硫和氧两种元素的非金属性强弱D.用金属钠分别与水和乙醇反应,确定水和乙醇分子中羟基氢的活泼性强弱13

6、.天然油脂结构的核心为甘油(HOCH2CH(OH)CH2OH),有一瘦身用的非天然油脂,其结构的核心则为蔗糖(C12H22O11)。该非天然油脂可由直链型的不饱和油酸(C17H33COOH)与蔗糖反应而得,此反应可示意如下(注意:图中的反应式不完整)下列说法正确的是A.蔗糖酯也是高级脂肪酸的甘油酯,属于油脂类物质B.该蔗糖酯在稀硫酸的作用下水解,最终可生成三种有机化合物C.此非天然油脂为高分子化合物D.此非天然油脂与氢氧化钠溶液共热,水解产物不能与溴水反应26.(13分)元素X、Y、Z、W均为短周期元素,且原子序数依次增大。已知Y原子最外

7、层电子数占核外电子总数的3/4,W—、Z+、X+半径逐渐减小,化合物XW常温下为气体,据此回答下列问题:(1)W在元素周期表中的位置,工业上生产W单质的离子方程式为;(2)A、B都是由上述元素中的某三种按原子个数比1:1:1组成的强电解质,常温下A、B的水溶液pH都大于7,若A能抑制水的电离,而B能促进水的电离,则A、B的化学式分别为、。(3)C和D都是由上述元素中某两种组成的。C是一种含有非极性键的离子化合物,则C的电子式为;D与XW分子中电子数相等,写出D的两种用途。晶块磨碎称取样品mg加热脱水到恒重冷却后称量固体质量为m1g溶解于水

8、加入足量A溶液过滤沉淀滤液干燥后称量质量为m2g27.(16分)为了测定混有少量KCl杂质的明矾KAl(SO4)2·nH2O的纯度,同时测定n的值,按下列流程进行实验:(1)(1)晶块磨碎时使

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