溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究

溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究

ID:11346051

大小:27.47 KB

页数:14页

时间:2018-07-11

溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究_第1页
溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究_第2页
溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究_第3页
溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究_第4页
溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究_第5页
资源描述:

《溶胶-凝胶法制备co掺杂zno稀磁半导体的结构研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、------------------------------------------------------------------------------------------------溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体的结构研究赵维佳吉林师范大学物理学院2006级3班0608302指导教师:刘惠莲(副教授)摘要:稀磁半导体(DMSs)集电子的电荷和自旋于一体,使之具有了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存储特性,是一种新型的功能材料。本实验采用溶胶—凝胶法制备了钴掺杂氧化锌稀磁半导体Zn1-xCoxO,利用X射线衍

2、射仪(XRD),拉曼(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS),X射线吸收精细结构(XAFS)研究样品结构性质。结果表明:利用溶胶凝胶法制备Zn1-xCoxO样品,700℃为其最佳的烧结温度。所有样品为六角纤锌矿结构,并能形成稳定复合晶体。关键词:稀磁半导体;ZnO;结构StructureofCodopedZnOdiluedmagneticsemiconductorsbysol-gelmethodZhaoWeijia,JilinNormalUniversity,CollegeofPhysics,Class3Grade2006,0

3、608302Instructor:LiuHuilian(AssociateProfessor)Abstract:Dilutedmagneticsemiconductor(DMSs)setofelectronicchargeandspininone,sothatithasachargetransportpropertiesofsemiconductorandmagneticpropertiesofinformationstorage,anditisanewfunctionalmaterials.Inthisexperiment,so

4、l-gelcobaltdoped——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ZnOdilutedmagneticsemiconductorZn1-xCoxO,X-raydiffraction(XRD),Raman(Raman),X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS),X-raya

5、bsorptionfinestructure(XAFS)takesadvantageofstudyingstructuralpropertiesofthesample.Theresultsshowedthat:Thesol-gelZn1-xCoxOsamples,700℃forthebestsinteringtemperature.Allsamplesarehexagonalstructure,andcanformastablecomplexcrystals.Keywords:dilutedmagneticsemiconducto

6、r;ZnO;structure1引言稀磁半导体(DilutedMagneicSemiconductors,简写为DMSs)是一种新型的功1能材料,它是指磁性过渡金属或稀土金属离子部分取代化合物半导体(通常为AB型)的阳离子,从而能形成同时利用电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储的具有磁性材料和半导体材料双重特性的三元或四元化合物。由于微量磁性原子的引入,使得磁性离子局域磁距与能带电子自旋之间形成强烈的交换作用,从而改变原有半导体材料的微观机制,使稀磁半导体在磁学、电学、光学等方面具有极其独特的性质。由于磁性元素的掺入,稀磁半

7、导体具有了一些奇异的性质。稀磁半导体是目前国际上研究的热门课题,研究最为广泛的是过渡族金属掺杂的ZnO所制成的DMS。理论和实验上已经取得了可喜的结果。ZnO晶体为六角纤锌矿结构,适于高质量的定向外延薄膜的生长,因此是一种兼有半导性、压电性、热电性、光导电性和荧光型多种功——————————————————————————————————————----------------------------------------------------------------------------------------------

8、--能的薄膜材料。其晶格常数为a=0.325nm,c=0.521nm,其室温下禁带宽度为3.37eV,是典型的宽带隙直接禁带半导体材料。属于六角晶系6mm点群,空间群为P63mc,空间对称性是C46v,熔点是1975℃,电子迁移率为200cm2v-

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。