简析传感器论文资料zigbee无线传感器论文中英文资料对照外文翻译文献综述

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1、简析传感器论文资料ZigBee无线传感器论文中英文资料对照外文翻译文献综述简析传感器论文资料ZigBee无线传感器论文中英文资料对照外文翻译文献综述导读：二氧化锡电级二氧化锡（SnO2）电极广泛应用于高档光学玻璃的熔炼以及电解铝行业，二氧化锡电级尤其适用于火石类玻璃、钡火石、钡冕，以及重冕玻璃等的熔炼，且对玻璃不产生污染。此项成果已通过河南省科技厅组织的专家鉴定，整体性能指标在国内处于领先水平，二氧化锡电级主要指标已达到国际先进水平。SnO2电极性能技术指标1、体积密度2、抗弯强度室温1155kg/cm21000℃641kg/c

2、m21200℃166kg/cm21400℃95kg/cm23、电阻率室温93400℃6.1000600℃1.4000800℃0.0200900℃0.01501000℃0.00981100℃0.00844、抗钠钙玻璃侵蚀速率(mm/h)1000℃0.53x10-31100℃0.63x10-35、热膨胀率(1200℃)0.69%SnO2为N型半导体结构,是一种优良的气敏和湿敏材料.介绍了纳米SnO2的主要用途以及电弧气相法、溶胶-凝胶法、水热反应法和机械化学法等制备技术,探讨了SnO2的气敏机理,包括晶体尺寸效应和掺杂效应,并指出了

3、纳米SnO2的发展前景.(Ω·cm)6.38-6.58g/cm3采用共溶溶胶凝胶法及半透膜渗析技术,合成SnO2纳米粉体.采用旁热式结构,制成了Al2O3(Pt)修饰SnO2双层膜的气体传感器.通过rEM、SEM分析方法分别对SnO2粉体、敏感膜以及Al2O3(掺质量分数3％Pt)表面催化层的表面形貌进行观察和表征.实验结果表明,Al2O3(掺质量分数3％Pt)修饰SnO2双层膜气体传感器对甲烷有好的选择性和较高的灵敏度,在Φ(CH4)=5×10-3时灵敏度最高可达到5以上.金属氧化物微气体传感器制备技术的研究进展：柏自奎阅读人

4、次：32发布时间：2011-11-17王爱华谢长生摘要：阐述子金属氧化物微气体传感器制备技术的最新研究进展，介绍了气体传感器的气敏膜表面化学处理、气氛沉积、复合气敏膜、热氧化成膜技术、异形电极技术、显微铸造微传感器阵列技术和溶胶-凝胶提拉成膜技术，分析了各自的特点，并提出了存在的问题和今后的发展方向。关键词：金属氧化物；气体传感器；制备；选择性；稳定性0引言金属氧化物气体传感器作为“气—电”信息转换器件，实现对气体的检测和生产过程控制，同其他方法相比，具有快速、简便等优点，有广阔的应用前景。但随着现代工农业及信息技术的发展，人们

5、对气体的检测不再满足于监控和报警，而提出了更高的要求，不仅具有定性判别，还要具有定量指示功能。如，用于空气质量检测，食品、香精、香水的质量评定及生产过程控制等，对金属氧化物气体传感3456简析传感器论文资料ZigBee无线传感器论文中英文资料对照外文翻译文献综述导读：的表面，并从其表面获得电子而形成化学吸附的O2-，O-，O2-，结果表面电阻增加。当还原性气体作为被检测气体与气敏元件表面接触时，这些气体与化学吸附氧进行反应，导致氧原子捕获的电子重新回到氧化物表面中去，表面电阻下降；当氧化性气体作为被检测气体与气敏元件表面接触时，

6、这些气体与化学吸附氧进行反应，导致表面吸附的器也提出了更高的要求，除了高的敏感性，还需要高的气敏选择性、稳定性。为了解决这一问题，自20世纪60年代以来，人们开发了SnO2，ZnO，Fe2O3，In2O3等多种材料体系，新材料的开发无疑是十分有意义的工作。但气敏材料的气敏性能如何充分发挥出来，则是另一个重要课题——气体传感器的制备技术。近年来，掺杂、成膜、热处理、结构等都引起了广泛的关注，本文将从提高传感器的气敏选择性、稳定性角度，述评最近几年国内外气体传感器制备技术的有关文献，并提出了存在的问题及今后的发展方向。1微气体传感器

7、的制备技术金属氧化物气敏元件属于表面电阻控制型，即利用表面电阻的变化检测各种气体，其工作原理是：在空气中氧分子吸附在金属氧化物半导体的表面，并从其表面获得电子而形成化学吸附的O2-，O-，O2-，结果表面电阻增加。当还原性气体作为被检测气体与气敏元件表面接触时，这些气体与化学吸附氧进行反应，导致氧原子捕获的电子重新回到氧化物表面中去，表面电阻下降；当氧化性气体作为被检测气体与气敏元件表面接触时，这些气体与化学吸附氧进行反应，导致表面吸附的O2，O-捕获更多的电子而形成更多的O2-使表面电阻升高。气体传感器制备技术都是从优选气敏膜

8、的成份、形貌、结构、电极材料及形状、提高热响应速度等来达到提高气敏元件的敏感性、选择性、稳定性以及提高气敏响应及恢复时间。1．1气敏膜的表面化学处理气敏膜的表面化学处理是气敏膜掺杂的一种，但是，有别于其他原始粉体的掺杂、成膜时的掺杂、掺杂物在膜中的分布形式、存在