题库---微电子工艺原理

《题库---微电子工艺原理》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、微电子工艺原理复习知识点与题库一、绪论微电子工艺的概述知识点：集成度、摩尔定律、微电子系统的概念1集成电路的制作可以分成三个阶段：①硅晶圆片的制作；②集成电路的制作；③集成电路的封装。2评价发展水平：最小线宽，硅晶圆片直径，DRAM容量二、晶体结构和晶体生长知识点：5金刚石结构特点：共价四面体，内部存在着相当大的“空隙”6面心立方晶体结构是立方密堆积，(111)面是密排面。7金刚石结构可有两套面心立方结构套购而成，面心立方晶格又称为立方密排晶格。8双层密排面的特点：在晶面内原子结合力强，晶面与晶面之间距离较大，结合薄弱。两个双层面间，间距很大，而且共价键稀少，

2、平均两个原子才有一个共价键，致使双层密排面之间结合脆弱9金刚石晶格晶面的性质：由于{111}双层密排面本身结合牢固，而双层密排面之间相互结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。由{111}双层密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上。因{111}双层密排面之间距离很大，结合弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展。{111}双层密排面结合牢固，表明这样的晶面能量低。由于这个原因，在晶体生长中有一种使晶体表面为{111}晶面的趋势。10肖特基缺陷：如果一个晶格正常位置上的原子跑到表面，在体内产生一个晶格空位，称肖特基缺陷。1

3、1弗伦克尔缺陷：如果一个晶格原子进入间隙，并产生一个空位，间隙原子和空位是同时产生的，这种缺陷为弗伦克尔缺陷。12堆垛层错：在密堆积的晶体结构中，由于堆积次序发生错乱13固溶体：当把一种元素B(溶质)引入到另一种元素A(溶剂)的晶体中时，在达到一定浓度之前，不会有新相产生，而仍保持原来晶体A的晶体结构，这样的晶体称为固溶体。14固溶度：在一定温度和平衡态下，元素B能够溶解到晶体A内的最大浓度，称为这种杂质在晶体中的最大溶解度15固溶体分类：替位式固溶体，间隙式固溶体16某种元素能否作为扩散杂质的一个重要标准：看这种杂质的最大固溶度是否大于所要求的表面浓度，如果

4、表面浓度大于杂质的最大固溶度，那么选用这种杂质就无法获得所希望的分布。题目三扩散工艺知识点：27杂质在硅晶体中的扩散机构主要有两种：1)间隙式扩散，(2)替位式扩散28扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。29扩散方式：恒定表面源扩散和有限表面源扩散。30两种扩散方式相结合的扩散工艺为两部扩散。第一步，预扩散或预淀积，目的：为了控制扩散杂质的数量，方式恒定表面源扩散。第二步，主扩散，目的控制表面浓度和扩散深度。方式将由预扩散引入的杂质作为

5、扩散源。31氧化增强扩散：与中性气氛相比，杂质硼在氧化气氛中的扩散存在明显的增强。32发射区推进(下陷)效应：在npn窄基区晶体管制造中，如果基区和发射区分别扩硼和扩磷，则发现在发射区正下方，硼的扩散深度大于不再发射区正下方(外基区)硼的扩散深度。33在实际生产中，经常发现同一炉扩散出来的硅片其薄层电阻相差特大，特别是在低浓度扩散时更为明显，这就是扩散的均匀性问题。当用同样的条件进行扩散时，发现各次扩散的结果有差异，这就是扩散的重复性问题。题目四氧化工艺知识点：17SiO2层的特点：能紧紧地依附在硅衬底表面，具有良好的化学稳定性和电绝缘性。对某些杂质能起到掩蔽

6、作用。极易溶解于氢氟酸中，而在其它酸中稳定18二氧化硅用途：扩散时的掩蔽层，离子注入的阻挡层；器件和电路的保护或钝化膜；某些器件的重要组成部分MOS管的绝缘栅材料；电容器的介质材料；集成电路中的隔离介质；用于电极引线和硅器件之间的绝缘介质19按杂质在网络中所处位置可分为两类：网络形成者和网络改变者。20较厚的SiO2层制备实际采用：干氧－湿氧－干氧21硅的热氧化存在两个极限：其一是当氧化剂在二氧化硅中的扩散系数很小时，二氧化硅的生长速率主要由氧化剂在二氧化硅中的扩散速度所决定，称为扩散控制；其二如果扩散系数很大，在这种情况下，氧化剂到达硅和二氧化硅界面的速度就

7、快，这时，二氧化硅的生长速率就由硅表面的化学反应速度决定，称为反应控制。22热氧化生长速率当氧化时间很短时，氧化服从线性规律，此时SiO2的生长速率主要由表面化学反应来决定。当氧化时间很长时，氧化服从抛物型规律，此时SiO2的生长速率主要由氧化剂在SiO2中的扩散快慢来决定。23分凝现象：硅在热氧化时所形成的界面随着热氧化的进行不断向硅中推进，原存在硅中的杂质将在界面两边再分布，直到达到在界面两边的化学势相同，分凝系数m=杂质在硅中的平衡浓度/杂质在二氧化硅中的平衡浓度24再分布的四种可能(1)m<1，在二氧化硅中是慢扩散的杂质，如硼；(2)m<1，在二氧化硅

8、中是快扩散的杂质；(3)m>1，在二氧