浙江省宁波市海曙区达敏学校2014年高三上学期期末考试物理试卷

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1、浙江省宁波市海曙区达敏学校2014年高三上学期期末考试物理试卷（满分：100分考试时间：100分钟）一、单项选择题（本题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个选项符合题意。）1．关于物理学家所做的贡献，下列叙述符合史实的是A．安培发现了电流的磁效应，并提出了分子电流假说B．法拉第提出了电场的观点，并引入了电场线来描述电场C．库仑通过扭秤实验建立了库仑定律，并比较精确地测定了元电荷e的数值D．伽利略通过斜面实验证实了物体的运动不需要力来维持，并建立了惯性定律2．2013年6月我国宇航员在天宫一号空间站中进行了我国首次太空授课活动，其中演示了太空“质量测量仪”测质量的实验，助教聂海胜将

2、自己固定在支架一端，王亚平将连接运动机构的弹簧拉到指定位置，如图所示。松手后，弹簧凸轮机构产生恒定的作用力，使弹簧回到初始位置，同时用光栅测速装置测量出支架复位时的速度和所用时间。这样，就测出了聂海胜的质量——74kg。下列关于“质量测量仪”测质量的说法正确的是A．测量时仪器必须水平放置B．测量时仪器必须竖直放置C．其测量原理根据万有引力定律D．其测量原理根据牛顿第二定律3．如图所示，足够长的水平传送带以v0=2m/s的速度匀速运行。t=0时，在最左端轻放一质量为m的小滑块，t=2s时，传送带突然制动停下。已知滑块与传送带之间的动摩擦因数μ=0.2。下列关于滑块相对地面运动的v-t图像正确的是

3、t/s0--211234v/（m·s-1）t/s0--211234v/（m·s-1）v/（m·s-1）t/s0--211234v/（m·s-1）t/s0--211234ABCD4．行星“G1-58lc”适宜人类居住，值得我们期待。该行星的质量是地球的6倍，直径是地球的1.5倍，公转周期为13个地球日。设该行星与地球均可视为质量分布均匀的球体，则该行星的第一宇宙速度是地球的A．倍B．1.5倍C．2倍D．倍5．如图所示，重物A被绕过小滑轮P的细线所悬挂，重物B放在粗糙的水平桌面上；小滑轮P被一根斜短线系于天花板上的O点；O′是三根线的结点，bO′水平拉着B物体，cO′沿竖直方向拉着弹簧，cO′与a

4、O′夹角为120°；弹簧、细线、滑轮的重力和细线与滑轮间的摩擦力均可忽略，整个装置处于静止状态。其中A的重力为20N，B的重力为40N，B与桌面间的动摩擦因数为0.5，则下列说法正确的是A．弹簧的弹力大小为10NB．桌面对B的摩擦力大小为20NC．线bO′与cO′拉力的合力大小为10ND．线OP与竖直方向的夹角为60°ab6．如图所示，两个内壁光滑、半径不同的半球形碗放在不同高度的水平面上，使两碗口处于同一水平面，现将质量相同的两个小球a、b（小球半径远小于碗的半径），分别从两个碗的边缘处由静止释放，则下列判断正确的是A．过碗底时，两球对碗底的压力相等B．过碗底时，两球的动能相等C．过碗底时，

5、球a的加速度大于球b的[来源:学#科#网]D．球a的机械能始终大于球b的机械能t/sx/m0--84123t/sv/（m·s-1）0--631237．一质量为2kg的质点在xOy平面内运动，在x方向的x-t图象和y方向的v-t图象分别如图所示。下列关于该质点的说法正确的是A．初速度为3m/sB．所受的合外力为3NC．做匀变速直线运动D．初速度方向与合外力方向垂直bcaP8．不带电的空腔导体P置于电场中，其周围电场线分布如图所示，a、c为电场中的两点，b为导体空腔内的一点，则A．a、b、c三点的电场强度依次减小B．a、b、c三点的电势依次降低C．负试探电荷在a点的电势能比在b点的大D．正试探电荷

6、从a点移到c点的过程中，克服电场力做功t1t2图乙BtOB图甲9．如图甲所示，在圆形线框的区域内存在匀强磁场，开始时磁场方向垂直于纸面向里。若磁场的磁感应强度B按照图乙所示规律变化，则线框中的感应电流I（取逆时针方向为正方向）随时间t的变化图线是ABCDt1t2ItOt2t1ItOt1t2ItOt1t2ItO10．如图所示，在圆形区域内存在垂直纸面向外的匀强磁场，ab是圆的直径。一不计重力的带电粒子从a点射入磁场，速度大小为v，当速度方向与ab成30°角时，粒子在磁场中运动的时间最长，且为t；若相同的带电粒子从a点沿ab方向射入磁场，也经时间t飞出磁场，则其速度大小为A．B．C．D．二、不定项

7、选择题（本题共5小题，每小题5分，共计25分。每小题至少有一个选项符合题意。全部选对的得5分，选对但不全的得2分，错选或不答的得0分。）PNEab光11．硅光电池已广泛应用于人造卫星和灯塔、高速公路“电子眼”等设施。其原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N 是两块硅半导体，P、N 可在E区形成匀强电场。P的上表面镀有一层膜，当光照射时，P内产生的自由电子经E区电场加速后到达半导体N，从而