山东省济宁市嘉祥一中2013年高二上学期12月月考物理试卷

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1、山东省济宁市嘉祥一中2013年高二上学期12月月考物理试卷一、选择题（本大题共12小题，每小题4分，共48分。在每小题给出的四个选项中，不只有一个选项符合题目要求，全部选对的得4分，只选1个且正确的得2分，错选或不选的得0分）1．如图是描述某匀强电场的电势沿轴方向的变化图象，则关于此图像斜率的大小和正负所表示的意义，下列说法正确的是A．电势差的大小与正负B．电势能的大小与正负[来源:Zxxk.Com]C．电场强度的大小与方向D．电场力做功的大小与正负2．学过逻辑电路知识后，同学们想设计一个夜间教室防盗报警电

2、路。放学后教室的前门、后门都处于关闭状态，只要有其中一扇门被非法打开，报警器就会报警。根据报警装置的要求，他们需要的是以下的何种门电路A.“与”门电路B.“非”门电路C.“或”门电路D．无法判定3．如图，A、B分别为电源E和电阻R的曲线，现用电源E与电阻R及开关、导线组成闭合电路，由图象可得此时A．电源的总功率为6WB．电源的效率是50％C．R的阻值随电压升高而增大D．若再串联一定值电阻，电源的输出功率必减小4．有两只电流表A1、A2是由完全相同的小量程电流表G1、G2改装而成，A1的量程为I1=0.6A，

3、A2的量程为I2=3A两表接入电路后均未烧坏，则A．A1、A2表的内阻之比为R1:R2=1:5B．将A1、A2串联接入电路后，指角偏角之比为5:1C．将A1、A2串联接入电路后，读数之比为5:1D．将A1、A2并联接入电路后，读数之比为1:55．1922年英国物理学家阿斯顿因质谱仪的发明、同位素和质谱的研究荣获了诺贝尔化学奖。若速度相同的同一束粒子由左端射入质谱仪后的运动轨迹如图所示，则下列相关说法中正确的是A．该束带电粒子带正电B．速度选择器的P1极板带负电C．在B2磁场中运动半径越大的粒子，比荷越小D．

4、在B2磁场中运动半径越大的粒子，质量越大6.一个矩形线圈面积为4.0×10-4m2，将它放入水平方向的匀强磁场中，线圈与磁场之间的夹角为30°，ad、bc边与磁场垂直，如图所示，该匀强磁场的磁感应强度为0.2T。现将线圈以ad为轴按图中所示方向旋转60°，则穿过线圈的磁通量的变化量为A．0B．8×10-5WbC．8×10-5WbD．1.6×10-4Wb7.直流电源跟一个线圈连接成闭合回路，线圈的上方和右侧各有一个可以自由转动的小磁针，它们静止时如图所示，则下列判断正确的是A．小磁针的c端为N极，电源的a端为

5、正极B．小磁针的c端为N极，电源的a端为负极C．小磁针的d端为N极，电源的a端为正极D．小磁针的d端为N极，电源的a端为负极8.一根质量为m的金属棒AC用细线悬挂在磁感应强度为B的匀强磁场中，磁场方向如图所示。当通入A→C方向的电流时，悬线对金属棒的拉力不为零。若要使悬线对棒的拉力为零，可以采用的办法是A．不改变电流和磁场方向，适当减小电流B．只改变电流方向，并适当减小电流C．只改变磁场方向，并适当增大磁感应强度D．同时改变磁场和电流方向，并适当增大磁感应强度9．把一根通电的硬直导线ab放在磁场中，导线所在

6、区域的磁感线呈弧线，如图所示，导线可以在空中自由移动和转动，导线中的电流方向由a到b，以下说法正确的是A．a端垂直纸面向外旋转，b端垂直纸面向内旋转，当导线转到跟纸面垂直后再向下平移B．a端垂直纸面向外旋转，b端垂直纸面向内旋转的同时向下平移C．要产生以上弧形磁感线的磁场源，虚线框内只可能是蹄形磁铁D．要产生以上弧形磁感线的磁场源，虚线框内可能是蹄形磁铁、条形磁铁、通电螺线管甚至是直线电流10．空间中有一长为d、宽为h的矩形EFGH匀强磁场区域，一电子以速度v0从顶点E沿EF垂直于磁场方向进入磁场，发生偏转

7、后从顶点G处离开磁场，如图所示，若电子质量为m、电荷量为e，磁场磁感应强度为B，则：A．洛伦兹力对电子做功是Bev0hB．电子在磁场中运动的时间为t＝C．电子在磁场中做圆周运动的周期为D．电子在磁场中做圆周运动的半径为11．如图所示，在探究电荷间的相互作用的实验中，悬挂在O点的一根不可伸长的绝缘细线下端有一个带电量不变的小球A，其质量为，缓慢移动另一带同种电荷的小球B，使A始终静止于悬线偏离竖直方向θ处，当B放置于某个地方时，AB间的距离最远，则此时的最远距离为多少？（A、B球可看成点电荷）ABOθA．B．

8、C．D．B12.霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等。在霍尔效应实验中，如图所示，宽为cm，长为4cm，厚为cm的导体，沿方向通有3A的电流，当磁感应强度的匀强磁场垂直向里穿过平面时，产生了V的霍尔电压，（已知导体内定向移动的自由电荷是电子），则下列说法正确的是A．在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率B．在导体的上表面聚