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1、上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,LtdDocNo.:QⅢ-E058-4Rev.0Page:6of6文件履历表DocumentHistoryList质量体系QualitySystem环境体系EnvironmentSystem管理性文件ManagementDocument文件名称Title:Discrete芯片点测方法和低良芯片处理规范版本Rev执行日期ImplementDate申请人Applicant批准人Approvalby更改记录Revisio
2、nHistory02013-7-12许溢毛红光新文件建立FormQ030-7,Rev.E上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,LtdDocNo.:QⅢ-E058-4Rev.0Page:6of6Wafer边缘芯片去除指导规范1.背景Background在晶圆制造的光刻显影过程中有EBR(EdgeBeadRemoval)步骤，该步骤通常会导致晶圆的边缘有不完整图形或缺陷图形，又加上在晶圆的整个加工过程中，晶圆的边缘一直与Cassette、晶舟、溅射和腐蚀设
3、备的钩爪等接触，所以晶圆边缘容易收到污染，从而导致晶圆边缘芯片存在不少问题。边缘芯片的危害：可能导致DieBondPR误识别，WireBondNSOP，FTlowyield(Open，Short，软击穿，漏电偏大等)等。有少部分成品能通过FinalTest,但通常存在可靠性问题，比如芯片背面金属层粘合不牢靠，器件ESD能力弱，或者器件高温电性严重漂移等，这些就容易导致客户抱怨。2.目的Purpose制定晶圆（Analog,Discrete,Logic等）的边缘芯片去除指导规则，防止边缘不良不可靠的芯片被误封装。3.适用范围Scope公司所有的晶圆。边缘芯片的去除量一般在3mm–5
4、mm之间。具体去除量(比如3mm,3.5mm,4mm,4.5mm,5mm等)，要综合考虑质量和成本，ByWaferType来规定。目前本司一般去掉4mm的边缘芯片。由于每家WaferFab的工艺控制和每种产品的光刻机曝光形式不同，有些Wafer必须去除边缘芯片，有些Wafer一般不需要去除边缘芯片，大致如下：3.1.所有使用Stepper光刻机(分块式曝光成型的)的Wafer，即整张晶圆表现为全都是“图形”或“光板”和“图形”并存的情况。一般IC(Analog,Logic,Hall等)都属于这类情况。特殊情况：有的Wafer供应商(比如Phenitec)会直接做好晶圆的4mm边缘
5、打墨，再出货给我们，这说明芯片供应商知道边缘芯片的危害，自己已去除了，我们就无需再做一次。如下图的Wafer边缘既有“图形”,也有“光板”，是必须做边缘芯片去除的。上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,LtdDocNo.:QⅢ-E058-4Rev.0Page:6of6图形光板边缘芯片去除区域1.1.所有使用投影式或接触式光刻机一次曝光成型的的Wafer，整张晶圆的边缘是光板的，一般不需要去除边缘芯片。但基于质量考虑，有时还会额外去除几颗边缘芯片(比如S
6、emtech、KFAB的某些芯片型号)。一次曝光成型的Wafer一般都是<=6inch的DiscreteWafer，但反之不成立。2.去除边缘芯片的可选方法2.1.在CP站做晶圆边缘4mm打墨一般适用于做全测的晶圆，在做测试不良芯片打墨的同时，完成4mm边缘芯片的打墨。抽测(SampleCP)的芯片，因为GDPW(GrossDiePerWafer)比较多，一般不采用在CP站打墨的的方式。因为既浪费时间，也浪费成本(墨管、Prober等)，还容易碎片（尤其对<200um厚的芯片）。A.大部分Analog晶圆都需要做100%CP&Trim,它们较适用4mmEdgeDieInking的
7、方法。B.GDPW<10K的Discrete晶圆，按照QIII-E058-6文件需要做100%CP,它们也适用4mmEdgeDieInking。C.虽然GDPW>=10K,但由于低良或其他原因，转做100%CP的所有晶圆，也适宜采用4mmEdgeDieInking。上海凯虹电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,Ltd.上海凯虹科技电子有限公司ShanghaiKaihongElectronicCo.,LtdDocNo.:QⅢ-E058-4Rev.0P
