溅镀站参数规范(已改)

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1、晶方半导体科技(苏州)有限公司ChinaWaferLevelCSPLtd.溅镀站参数规范SputterStationParameterSpecification文件编号DOC#:JF/WI-ME-115版次Rev:A001生效日期Effective:标准书Specification制订部门WrittenbyDepartment撰写者/日期Writtenby/Date审核者/日期Reviewedby/Date核准者/日期Approvedby/Date工程部谢红梅ThisdocumentistheexclusivepropertyofChinaWaferLe

2、velCSPLtd.andshallnotbereproducedorcopiedortransformedtoanyotherformatwithoutpriorpermissionofChinaWaferLevelCSPLtd.本数据为晶方半导体专有之财产,非经许可,不得复制,翻印或转变成其它形式使用.Page18of18晶方半导体科技(苏州)有限公司ChinaWaferLevelCSPLtd.溅镀站参数规范SputterStationParameterSpecification文件编号DOC#:JF/WI-ME-115版次Rev:A001生效日期E

3、ffective:文件变更履历页DocumentChangeHistory版次Rev.撰写者Originator变更内容简述ChangeDescription变更依据文件号码DCN#生效日期Eff.DateA001谢红梅NewRelease接续页CONTINUATION---□是YES;■否NOThisdocumentistheexclusivepropertyofChinaWaferLevelCSPLtd.andshallnotbereproducedorcopiedortransformedtoanyotherformatwithoutpriorpe

4、rmissionofChinaWaferLevelCSPLtd.本数据为晶方半导体专有之财产,非经许可,不得复制,翻印或转变成其它形式使用.Page18of18晶方半导体科技(苏州)有限公司ChinaWaferLevelCSPLtd.溅镀站参数规范SputterStationParameterSpecification文件编号DOC#:JF/WI-ME-115版次Rev:A001生效日期Effective:ThisdocumentistheexclusivepropertyofChinaWaferLevelCSPLtd.andshallnotberepr

5、oducedorcopiedortransformedtoanyotherformatwithoutpriorpermissionofChinaWaferLevelCSPLtd.本数据为晶方半导体专有之财产,非经许可,不得复制,翻印或转变成其它形式使用.Page18of18晶方半导体科技(苏州)有限公司ChinaWaferLevelCSPLtd.溅镀站参数规范SputterStationParameterSpecification文件编号DOC#:JF/WI-ME-115版次Rev:A001生效日期Effective:1.0目的Purpose:根据不同的

6、制程,不同的溅镀薄膜材质制定程序参数规范。Accordingtodifferentprocessandmaterialtodefinefitrecipeparameter2.0适用范围Scope:生产在线6吋及8吋芯片的铝薄膜溅镀。Aluminumalloysputteringonboth6and8-inchwafercurrently3.0参考文件Reference:3.1溅镀站标准作业标准书;SputterStationSpecification……..PE-0454.0名词定义Definition:NA5.0参数说明RecipeexplainNA6

7、.0程序名称及参数RecipeNameandParameter:6.1ProcessName:sputter_LeadStepNr.TypeNameStepDescription/Notes12235678910111213LC-PumpLC-DegaseLC-Etch1LC-Etch2Transp.toMCMC-PumpMC-PresputterHMC-preSputterLMC-sputterLMC-sputterHMC-PumpTransp.toLCLC-ventpumpdownheaterignetchsurfacetranscagepumpdo

8、wnsputterAICU4pumptransrotaryvent5.0-6To

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