磷铜阳极介绍

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1、电子知识目前研制了一种更新新产品"精密磷铜阳极"，采用新铸造新工艺，最大特色是提高磷铜阳极密度，使磷在阳极金属组织中分布均匀、细密，不会产生偏析现象，而且可提高镀层致密度。因此取名"精密磷铜阳极"。解决了生产大规格产品和提高金属组织密度及磷分布均匀致密难题，且磷量控制范围更小。美国对铜阳极在硫酸盐光亮镀铜工艺发展研究中，发现在铜阳极中添加少量磷，在电镀过程中铜阳极表面生成一层黑色"磷膜"，这层"磷膜"具有金属导电性，控制电镀速度，使镀层均匀，无铜粉产生，大大减少阳极泥生成，提高镀层质量。从而出现"磷铜阳极"这种产品。磷铜

2、阳极生产工艺不同，其产品质量也不同。最早用坩埚做熔铜炉子，用焦炭或重油加热熔化，因铜水温度太低，铜与磷无法充分共熔，磷在铜金属组织内分布不均匀，无法达到理想效果；且磷量范围相当大，只能满足于最简单电镀需求，铜在熔化中烧损也较大，主要是被空气所氧化。现在也基本不使用此工艺生产磷铜阳极。后来有公司从美国引进中频炉熔化铜，采取"水平连铸工艺"生产磷铜阳极，解决了铜与磷共熔难题和铜被大量氧化问题。磷是挥发性较强物质，在高温铜水中添加磷后，无法及时检验铜水中磷含量，只能凭借操作员操作经验和导电仪来间接控制磷添加量，无法用操作程序来

3、指导生产；且需中转流到保温炉内铸造；在中频炉内、转流过程中及保温炉铸造过程中都会造成磷损失，不但会造成生产成本加大，劳动强度也较大，而且产品中磷量控制范围也较大，使磷量不稳定，需多年经验操作者才能不超出控制范围，人为因素较大，产品质量波动大。与磷能在设定温度范围内充分共熔，达到理想效果，解决了磷量控制范围大、磷及时检验难和磷挥发性等难题；质量更稳定，可用操作程序来控制生产操作，劳动强度低，成本也相对低，基本上能满足多层线路板电镀要求。需完善品质控制程序监控。IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/OBUFFER快速准确建模

4、方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够

5、读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛

6、仿真平台。IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/OBUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下

7、降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能

8、够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号