自动化专业英语翻译

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1、Unit4功率半导体器件功率半导体器件构成了现代电力电子设备的核心。它们以通-断开关矩阵的方式被用于电力电子转换器中。开关式功率变换的效率更高。现今的功率半导体器件几乎都是用硅材料制造，可分类如下：二极管，晶闸管或可控硅，双向可控硅，门极可关断晶闸管，双极结型晶体管，电力金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管，静电感应晶体管，金属氧化物半导体控制的晶闸管，集成门极换向晶闸管二极管电力二极管提供不可控的整流电源，这些电源有很广的应用，如：电镀、电极氧电池充电、焊接、交直流电源和变频驱动。它们也被用于变换器和缓冲器的回馈和惯

2、性滑行功能。典型的功率二极管具有P-I-N结构，即它几乎是纯半导体层（本征层），位于P-结的中部以阻断反向电压。图1-4A-1给出了二极管符号和它的伏安特性曲线。在正向偏置条件下二极管可用一个结偏置压降和连续变化的电阻来表示，这样可画出一条斜率为正的伏安特性曲线。典型的正向导通压降为1.0伏。导通压降会引起导通损耗，必须用合适的吸热设备对二极管进行冷却来限制结温上升。在反向偏置条件下，由于少数载流子的存在，有很小的泄漏电流流过，泄漏电流随电压逐渐增加。如果反向电压超过了临界值，叫做击穿电压，二极管雪崩击穿，雪崩击穿指的是当反向电流

3、变大时由于结功率损耗过大造成的热击穿。电力二极管分类如下:标准或慢速恢复二极管；快速恢复二极管；肖特基二极管晶闸管闸流管或可控硅一直是工业上用于大功率变换和控制传统设备。50年代后期，这种装置的投入使用开辟了现代固态电力电子技术。术语“晶闸管”来自与其相应的充气管等效置，闸流管。通常，晶闸管是个系列产品的总称，包括可控硅、双向可控硅、门极可关断晶闸管、金属氧化物半导体控制的晶闸管、集成门极换向晶闸管。晶闸管可分成标准或慢速相控型，快速开关型，电压回馈逆变器型。逆变器型现已淘汰。图1-4A-2给出了晶闸管符号和它的伏安特性曲线。基本

4、上，晶闸管是一个三结P-N-P-N器件，器件内P-N-P和N-P-N两个三极管按正反馈方式连接。晶闸管可阻断正向和反向电压（对称阻断）。当阳极为正时晶闸管可由一个短暂的正门极电流脉冲触发导通；但晶闸管一旦导通，门极即失去控制晶闸管关断的能力。晶闸管也可由阳极过电压、阳极电压的上升率（dv/dt）、结温的上升、PN结上的光照等产生误导通。在门电流IG=0时，如果将正向电压施加到晶闸管上，由于中间结的阻断会产生漏电流；如果电压超过临界极限（转折电压），晶闸管进入导通状态。随着门极控制电流IG的增加，正向转折电压随之减少，最后，当门极控

5、制电流IG=IG3时，整个正向阻断区消失，晶闸管的工作状态就和二极管一样了。在晶闸管的门极出现一个最小电流，即阻塞电流，晶闸管将成功导通。在导通期间，如果门极电流是零并且阳极电流降到临界极限值以下，称作维持电流，晶闸管转换到正向阻断状态。相对反向电压而言，晶闸管末端的P-N结处于反向偏置状态。现在的晶闸管具有大电压（数千伏）、大电流（数千安）额定值。双向可控硅双向可控硅有复杂的复结结构，但从功能上讲，它是在同一芯片上一对反并联的相控晶闸管。图1-4A-3给出了双向可控硅的符号。在电源的正半周和负半周双向可控硅通过施加门极触发脉冲触

6、发导通。在Ⅰ+工作方式，T2端为正，双向可控硅由正门极电流脉冲触发导通。在Ⅲ-工作方式，T1端为正，双向可控硅由负门极电流脉冲触发导通。双向可控硅比一对反并联的晶闸管便宜和易于控制，但它的集成结构有一些缺点。由于少数载流子效应，双向可控硅的门极电流敏感性较差，关断时间较长。由于同样的原因，重复施加的dv/dt额定值较低，因此用于感性负载比较困难。双向可控硅电路必须有精心设计的RC缓冲器。双向可控硅用于电灯的亮度调节、加热控制、联合型电机驱动、50/60赫兹电源频率的固态继电器。门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管，顾名思义，是一种晶闸

7、管类型的器件。同其他晶闸管一样，它可以由一个小的正门极电流脉冲触发，但除此之外，它还能被负门极电流脉冲关断。GTO的关断能力来自由门极转移P-N-P集电极的电流，因此消除P-N-P／N-P-N的正反馈效应。GTO有非对称和对称电压阻断两种类型，分别用于电压回馈和电流回馈变换器。GTO的阻断电流增益定义为阳极电流与阻断所需的负门极电流之比，典型值为4或5，非常低。这意味着6000安培的GTO需要1,500安培的门极电流脉冲。但是，脉冲化的门极电流和与其相关的能量非常小，用低压电力MOS场效应晶体管提供非常容易。GTO被用于电机驱动、

8、静态无功补偿器和大容量AC/DC电源。大容量GTO的出现取代了强迫换流、电压回馈的可控硅换流器。图1-4A-4给出了GTO的符号。电力MOS场效应晶体管与以前讨论的器件不同，电力MOS场效应晶体管是一种单极、多数载流子、“零结”、电压控制器件。图1