自动化专业英语翻译

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1、自动化专业英语翻译PART1UNIT1A电路就电阻来说，电压-电流的关系由欧姆定律给出，欧姆定律指出：电阻两端的电压等于电阻上流过的电流乘以电阻值。在数学上表达为:..式中u=电压，伏特；i=电流，安培；R=电阻，欧姆。纯电感电压由法拉第定律定义，法拉第定律指出：电感两端的电压正比于流过电感的电流随时间的变化率。因此可得到：式中di/dt=电流变化率，安培/秒；L=感应系数，享利。电容两端建立的电压正比于电容两极板上积累的电荷q。因电荷的积累可表示为电荷增量dq的和或积分，因此得到的等式为，式中电容量C是与电压和电荷相关的比

2、例常数。由定义可知，电流等于电荷随时间的变化率，可表示为i=dq/dt。因此电荷增量dq等于电流乘以相应的时间增量，或dq=idt，那么等式…可写为式中C=电容量，法拉。有源电气元件涉及将其它能量转换为电能，如，电池中的电能来自其储存的化学能，发电机的电能是旋转电枢机械能转换的结果。PART1UNIT2A运算放大器集成电路技术使得在非常小的一块半导体材料的复合“芯片”上可以安装许多放大器电路。运算放大器成功的一个关键就是许多晶体管放大器“串联”以产生非常大的整体增益。也就是说，等式(1-2A-1)中的数A约为100,000或

3、更多(例如，五个晶体管放大器串联，每一个的增益为10，那么将会得到此数值的A)。第二个重要因素是这些电路是按照流入每一个输入的电流都很小这样的原则来设计制作的。第三个重要的设计特点就是运算放大器的输出阻抗(Ro)非常小。也就是说运算放大器的输出是一个理想的电压源。PART1UNIT3A逻辑变量与触发器逻辑变量我们讨论的双值变量通常叫做逻辑变量，而象或和与这样的操作被称为逻辑操作。现在我们将简要地讨论一下这些术语之间的关联，并在此过程中，阐明用标示“真”和“假”来识别一个变量的可能值的特殊用途。在数字系统中，普遍的观点是把逻辑

4、0看成一个基本的、无干扰的、稳定的、静止的状态，把逻辑1看成激励的、活跃的、有效的状态，就是说，这种状态是发生在某种操作动作之后。因此，当作用已产生时，其倾向将是定义最后的状态作为对某逻辑变量已转为1的响应。当“无操作发生”时，逻辑变量为逻辑0。类似地，如果作用将通过逻辑变量的变化产生，那么最好是以这样的方式定义有关的逻辑变量，即当逻辑变量转为逻辑1时达到此效果。在我们对触发器的讨论中，将看到持有此种观点的例子PART1UNIT4A功率半导体器件晶闸管闸流管或可控硅一直是工业上用于大功率变换和控制的传统设备。50年代后期，这

5、种装置的投入使用开辟了现代固态电力电子技术。术语“晶闸管”来自与其相应的充气管等效装置，闸流管。通常，晶闸管是个系列产品的总称，包括可控硅、双向可控硅、门极可关断晶闸管、金属氧化物半导体控制的晶闸管、集成门极换向晶闸管。晶闸管可分成标准或慢速相控型，快速开关型，电压回馈逆变器型。逆变器型现已淘汰。图1-4A-2给出了晶闸管符号和它的伏安特性曲线。基本上，晶闸管是一个三结P-N-P-N器件，器件内P-N-P和N-P-N两个三极管按正反馈方式连接。晶闸管可阻断正向和反向电压（对称阻断）。当阳极为正时，晶闸管可由一个短暂的正门极电

6、流脉冲触发导通；但晶闸管一旦导通，门极即失去控制晶闸管关断的能力。晶闸管也可由阳极过电压、阳极电压的上升率（dv/dt）、结温的上升、PN结上的光照等产生误导通。在门电流IG=0时，如果将正向电压施加到晶闸管上，由于中间结的阻断会产生漏电流；如果电压超过临界极限（转折电压），晶闸管进入导通状态。随着门极控制电流IG的增加，正向转折电压随之减少，最后，当门极控制电流IG=IG3时，整个正向阻断区消失，晶闸管的工作状态就和二极管一样了。在晶闸管的门极出现一个最小电流，即阻塞电流，晶闸管将成功导通。在导通期间，如果门极电流是零并且

7、阳极电流降到临界极限值以下，称作维持电流，晶闸管转换到正向阻断状态。相对反向电压而言，晶闸管末端的P-N结处于反向偏置状态。现在的晶闸管具有大电压（数千伏）、大电流（数千安）额定值。绝缘栅双极型晶体管在20世纪80年代中期出现的绝缘栅双极型晶体管是功率半导体器件发展历史上的一个重要里程碑。它们在中等功率（数千瓦到数兆瓦）的电力电子设备上处处可见，被广泛用于直流/交流传动和电源系统。它们在数兆瓦功率级取代了双极结型晶体管，在数千瓦功率级正在取代门极可关断晶闸管。IGBT基本上是混合的MOS门控通断双极性晶体管，它综合了MOSF

8、ET和BJT的优点。它的结构基本上与MOSFET的结构相似，只是在MOSFET的N+漏极层上的集电极加了一个额外的P+层。IGBT有MOSFET的高输入阻抗和像BJT的导通特性。如果门极电压相对于发射极为正，P区的N型沟道受到感应。这个P-N-P晶体管正向偏置的基极—发射极结使IGBT导通