半导体光刻工艺技术的报告

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1、毕业设计（论文）报告题目半导体光刻工艺技术系别专业班级学生姓名学号指导教师某科技职业学院毕业设计论文半导体光刻工艺技术半导体光刻工艺技术摘要：在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在SIO2或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形.由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术,在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用.如果把硅片的外延、氧化、扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话,那么，器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现.因此,光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,

2、同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素.目前生产上通常采用的紫外光接触暴光法光刻工艺的一般过程;列出几种常用的光刻腐蚀剂配方;最后对光刻工艺中较常见的质量问题进行分析和讨论.关键词：光刻、工艺、光刻胶、质量问题iv某科技职业学院毕业设计论文半导体光刻工艺技术SemiconductorlithographytechnologyAbstract：Intheplanartransistorandintegratedcircuitproduction,toberepeatedlithography,inordertoachieveselectiveprolif

3、erationandmetalfilmwiringpurposes.Photoresistlithographyprocessistheuseofphotosensitiveandcorrosionresistance,intheSIO2oretchingametalfilmcopiesandcorrespondingexactlywiththemaskgeometry.Aslithographyisaveryfinesurfaceprocessingtechnology,Intheproductionofplanardevicesandintegrate

4、dcircuitsarewidelyused.Ifthesiliconepitaxy,oxidation,diffusionanddepositionastheverticalstructureofthecontroldevice,thenthelateralcontroldeviceandalmostallhadalithographytoachieve.Therefore,theaccuracyandqualityoflithographywilldirectlyaffectthedeviceperformance,butalsoaffectdevic

5、eyieldandreliabilityoftheimportantfactors.CommonlyusedoncurrentproductionofUVexposurelithographyexposurethegeneralprocessoflaw;listsseveralcommonlithographycorrosiveformula;Finally,thelithographyprocessinthequalityofthemorecommonproblemsareanalyzedanddiscussed.KeyWords:Lithography

6、、Technology、Photoresist、Qualityproblemsiv某科技职业学院毕业设计论文半导体光刻工艺技术目录前言……………………………….…………………………………………..……….1第1章光刻工艺简介………….…………...………………………………………...21.1光刻工艺的定义……………..……………………………….………...……...21.2光刻工艺剖析………………..……………………………….……….......…...21.2.1表面准备……………..………….……………………….………...…...21.2.2涂光刻胶

7、……………..…….…………………………….………...….21.2.3软烘培……………..…………….……………………….………...….21.2.4对准和曝光……………..……………….……………….………...….3第2章光刻工艺流程……………….……...………………………………..……….32.1光刻工艺步骤……………….……...………………………………………….32.1.1涂胶….……...…………………………………...……………………..….32.1.2前烘….……...…………………………………...……………………..….32.1.3

8、曝光….……...……………………………………...…………………