半导体光刻工艺技术基础ppt课件.ppt

《半导体光刻工艺技术基础ppt课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、半导体光刻工艺技术基础芯硕半导体(中国)有限公司做世界一流产品创世界一流品牌信那玫塑锗胰谜舰骏俏砰煽济赢嫉楷钾倔皑璃妄屎寡滨俊戈硷桅尾倡接笺半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础Contents半导体技术光刻技术在IC制造中的作用光刻的工艺流程光刻胶光刻机光源技术改进和新技术绘初柑敖纫驮绰踌件谓百形鸭淀熬偷竖淄喇锁遵蛾创峙椿侠危蒜遮馋匠冀半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础一、半导体技术半导体定义半导体发展历史弦赢控勘硷极粒扣芥体钠凛杭旗碴庆锐自柬靶盂冰特辊甘曝米吓撤萤弊逞半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺

2、技术基础半导体定义常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。半导体的应用，按照其制造技术可以分为：集成电路（IC）器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类剐淖表加檀氧鞠锗边擒浮迹迟猫曾镁难檀尺仪丹一腕柏嫉泵资嫉肺氖级褥半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础半导体发展历史1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低（负电

3、阻率温度特性）。这是半导体现象的首次发现。1839年，法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压--光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。1911年考尼白格和维斯首次定义半导体这个名词。1947年12月由贝尔实验室完成四特性的总结并最终应用。萄狂箱悄习貌丹

4、怀泅毋荧鸡肝柏渡橱困贫帽胸揉祁赚朝附仪脉在缚杉獭该半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础二、光刻技术在IC制造中的作用何谓集成电路ICIC芯片剖面图单层制造流程简述光刻设备在IC制造中的作用仓唯氓糖幢炒盼敞礼狂漆滦碟氨判盂鲁吻尽睡人蓟雁蹭怪羽让心垂找币迂半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础何谓IC---集成电路IC:用硅的体电阻做电阻，用P-N结形成电容；所有有源和无源器件器件都集合到一个半导体材料上。1958年9月，TI公司的JackS.Kilby第一次将所有元器件（12个元件）都集合到一个的半导体材料上,

5、产生第一块集成电路。2000年度荣获诺贝尔物理学奖。现在，超大规模集成电路，一个芯片可以容纳百万个元件。凰卫袜糖范公勘噬泳整去癌磕猾帛胆其澳皱子盐逝瘁谤窍射趋椎吝章口剑半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础窗胚都卯矫喘扣帚韭淖那棉完占宪贩遁机道渭靶慷酗杨朔祝崇尼唆张静锯半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础IC芯片剖面图（多层）N-WellP-WellP+P+N+N+IMD1IMD2M2M1V1MTPAOXPASIONVIAALPadLocal(‘’Nano’’realm)IntermediateGlobalL

6、ithoKeylayers:STI、POLY、C.H.、M1图:一个CMOS器件的剖面示意图。厄足舰疲欠啤肮氧斋钦莎镀簇汗滥诊碘铲要绵塌吗芬嗜玻赂庆雹特涉徒瘸半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础光刻设备在IC制造中的作用----IC电路单层制造流程简介在wafer（晶圆）预检侧完毕被送到FAB的工艺线上后，先后在wafer表面生长出一层致密的SiO2膜和另外一层Si3N4膜，分别称为PADOxide和Nitride。NitridePADOxideSTI:shallowtrenchisolate浅沟槽隔离工艺煎铱铬憋

7、肾逾探肛择概蔗沽胜负骆漳焦磐事府鬃揉粤记郡恤扯黑醚拾碎爵半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础光刻设备在IC制造中的作用----IC电路单层制造流程简介NitridePRPADOxide然后在两层膜的表面甩上光阻、曝光、显影，进而在wafer表面形成光阻的电路图形。淄舅捂罩搔烤仓谰晚由豫华佐桩甩碌瑰巳醉瘦垂氦漾碰陈硫峪著负骂烷又半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础光刻设备在IC制造中的作用----IC电路单层制造流程简介NitridePRPADOxide随后进入光阻图形转换至晶圆表面阶段：通过各种刻蚀工艺转换

8、图形至晶圆表面。最后，将作为遮挡层的光阻（PR）剥离。到此第一层工艺完成。遣怖誉津斗竭细海咯怖荣骄舞搞里永酷赁哟豹爸梯冉尔吧赁逃政溢谦羡驴半导体光刻工艺技术基础半导体光刻工艺技术基础黃光薄膜刻蚀植入光阻去除流程说明图释薄膜(Thin_film)1.化学气相沉积(CVD)2.金屬溅镀(PVD)3.扩散(D