mos管模拟集成电路设计基础

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1、集成电路设计导论云南大学信息学院电子工程系梁竹关第一部分理论课第一章绪言1．1集成电路的发展1．2集成电路分类1．3集成电路设计第二章MOS晶体管2．1MOS晶体管结构2．2MOS晶体管工作原理2．3MOS晶体管的电流电压关系2．4MOS晶体管主要特性参数2．5MOS晶体管的SPICE模型第三章MOS管反相器3．1引言3．2NMOS管反相器3．3CMOS反相器3．4动态反相器3．5延迟3．6功耗第四章半导体集成电路基本加工工艺与设计规则4.1引言4.2集成电路基本加工工艺4.3CMOS工艺流程4.4

2、设计规则4.5CMOS反相器的闩锁效应4.6版图设计第五章MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计5.1NMOS管逻辑电路5.2静态CMOS逻辑电路5.3MOS管改进型逻辑电路5.4MOS管传输逻辑电路5.5触发器5.6移位寄存器5.7输入输出（I/O）单元第六章MOS管数字集成电路子系统设计6.1引言6.2加法器6.3乘法器6.4存储器6.5PLA第七章MOS管模拟集成电路设计基础7.1引言7.2MOS管模拟集成电路中的基本元器件7.3MOS模拟集成电路基本单元7.4MOS管模拟集成电路版图设计第八章

3、集成电路的测试与可测性设计8.1引言8.2模拟集成电路测试8.3数字集成电路测试8.4数字集成电路的可测性测试第二部分实验课1、数字集成电路（1）不同负载反相器的仿真比较；（2）静态CMOS逻辑门电路仿真分析；（3）设计CMOS反相器版图；（4）设计D触发器及其版图；（5）设计模16的计数器及其版图（可选）。2、模拟集成电路设计一个MOS放大电路（可选）。章次题目教学时数第一章绪言2学时第二章MOS晶体管4学时第三章MOS管反相器6学时第四章半导体集成电路基本加工工艺与设计规则6学时第五章MOS管数

4、字集成电路基本逻辑单元设计4学时第六章MOS管数字集成电路子系统设计4学时第七章MOS管模拟集成电路设计基础6学时第八章集成电路的测试与可测性设计4学时总计36学时教学进度表参考文献[1]王志功，景为平，孙玲.集成电路设计技术与工具.南京：东南大学出版社，2007年7月（国家级规划教材）.[2]（美）R.JacobBaker,HarryW.Li,DavidE.Boyce.CMOSCircuitDesign,LayoutandSimulation.北京：机械工业出版社，2006.[3]陈中建主译.CM

5、OS电路设计、布局与仿真.北京：机械工业出版社，2006.[4]（美）WayneWolf.ModernVLSIDesignSystemonSilicon.北京：科学出版社，2002.[5]朱正涌.半导体集成电路.北京：清华大学出版社，2001.[6]王志功，沈永朝.《集成电路设计基础》电子工业出版社，2004年5月（21世纪高等学校电子信息类教材）.第七章MOS管模拟集成电路设计基础7.1引言1、采用数字系统实现模拟信号处理现实世界中的各种信号量通常都是以模拟信号的形式出现的，设计一个电路系统的基本

6、要求，就是采集与实现系统功能相关的模拟信号，按系统的功能要求对采集的信号进行处理，并输出需要的信号（通常也是模拟量）。信号采集滤波放大A/D数字系统D/A输出驱动模拟量模拟量2、集成电路的模块基本上可以分为数字电路和模拟电路两类模拟信号和数字信号的分析处理方法不同，相应地，模拟集成电路和数字集成电路的设计分析方法也不同。模拟集成电路要求电路的每一个组成单元都必须是精确的，其性能与电路设计和版图设计的相关性比数字集成电路高得多。电路设计要考虑到很多相关因素，例如速度、频率响应、功耗、输入/输出摆幅等；

7、对版图设计从平面布局到各器件几何图形的设计都十分的“讲究”，需要考虑的问题往往比数字集成电路版图设计多得多。3、模块设计随着集成电路规模和设计复杂度的不断提高，采用人工或半自动设计方法必然存在着设计效率低、设计周期长的问题。并且随着集成电路规模的不断扩大，基于晶体管级的电路仿真变得越来越困难，尤其是对于模拟集成电路而言，不仅电路的仿真过程变长而且仿真的收敛性也变差。为了提高设计效率、缩短设计周期，可以首先将复杂的电路划分为若干模块，各个设计小组按照统一的标准并持设计各自的模块，然后分别完成各个模块的

8、晶体管级电路仿真和版图验证，最后在此基础上完成整个系统的集成。---模块设计7.2.1模拟集成电路中电阻器----无源电阻和有源电阻1.掺杂半导体电阻(1)扩散电阻所谓扩散电阻是指采用热扩散掺杂的方式构造而成的电阻。这是最常用的电阻之一，工艺简单且兼容性好，缺点是精度稍差。(2)离子注入电阻同样是掺杂工艺，由于离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，并且横向扩散小，因此，采用离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。7.2MOS模拟集成电路中的基本元器件