《放大电路基础》ppt课件

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1、第二章放大电路基础(5)1场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。2.11场效应管及其放大电路三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管22.11.1绝缘栅场效应管一、结构和电路符号PNNGSDP型基底两个N区SiO2绝缘层导电沟道金属铝GSDN沟道增强型3N沟道耗尽型PNNGSD预埋了导电沟道GSD在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出了沟道.4NPPGSDGSDP沟道增强型5P沟道耗尽型N

2、PPGSDGSD预埋了导电沟道6二、MOS管的工作原理以N沟道增强型为例PNNGSDUDSUGSUGS=0时D-S间相当于两个反接的PN结ID=0对应截止区7PNNGSDUDSUGSUGS>0时UGS足够大时（UGS>VT）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。感应出电子VT称为阈值电压8UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。PNNGSDUDSUGS9UTiD=f(uGS)uDS=常数三、增强型N沟道MOS管的特性曲线输出特性曲线转移特性曲线10一个重要参数——跨导gmgm=iD/uGS

3、uDS=constgm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率。在输出特性曲线上也可求出gm。11N沟道增强型MOS管的基本特性uGS＜UT，管子截止uGS＞UT，管子导通uGS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大12四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。转移特性曲线0IDUGSVT13输出特性曲线IDUDS0UGS=0UGS<0UGS>014N沟道耗尽型MOS管的特点当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加

4、。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。1516.11.3场效应管放大电路(1)静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。(2)动态：能为交流信号提供通路。静态分析：估算法、图解法。动态分析：微变等效电路法。分析方法：16很大，可忽略。GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds一.场效应管的微变等效电路17二.场效应管的共源极放大电路一、静态分析求：UDS和ID。设：VG>>UGS则：VGVS而：IG=0所以：UDD=20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS

5、10k18uoUDD=20VRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10k二、动态分析sgR2R1RGRL'dRLRD微变等效电路19sgR2R1RGRL'dRLRDro=RD=10k20三.源极输出器uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2G一、静态分析VSVGUDS=UDD-VS=20-5=15V21uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2GrirorogR2R1RGsdRLRS微变等效电路二、动态分析22rirorogR2R1RGsdRLRS微变等效电路输入电阻ri

6、23输出电阻ro加压求流法gd微变等效电路roroR2R1RGsRS24小结(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。(3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。25第二章结束26