EUV遭受新挫折 半导体10nm工艺步履维艰.doc

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1、EUV遭受新挫折半导体10nm工艺步履维艰　　ASML的量产型EUV光刻机在TSMC现场初试时出现失误。　　在2014年加州SanJose举行的先进光刻技术会议上TSMC演讲中透露此消息，由于EUV光源内的激光机械部分出现异位导致光源破裂。因此EUV光刻机停摆。TSMC的下一代光刻部经理JackChen证实仅是激光的机械部分故障。　　ASML/Cymer计划迅速解决问题，按Chen的看法，EUV仍有希望。尽管EUV光刻出现问题但是TSMC计划在10nm节点时能用上EUV。　　　　近期EUV光刻机出现一系列的问

2、题被曝光。有些专家认为在TSMC现场出现的光源故障对于EUV的实用性，尤其是对于未来的量产型EUV光刻机客户会产生疑惑，可能会延续一段时间。　　目前对于EUV光刻机的问题集中在光源，实际上尚有不少问题待解决，如EUV的掩膜与光刻胶等。　　　　光源问题　　ASML的第一代量产型EUV光刻机NXE;3300B近期己运抵TSMC。而Intel，Samsung和其它客户都有望在今年也拿到设备。这类EUV光刻机的数值孔径（NA）0.33，4X放大及分辨率为22nm（half-pitch）。　　运抵TSMC的NXE330

3、0B装上ASML/Cymer的30瓦EUV光源。按TSMC说法，原试车计划在1月31日前举行，但是由于激光的机械部分出现故障，导致设备停摆。直到2月24日设备仍不能开动。　　此类光源由Cymer公司研发，近期它己被ASML兼并。ASML/Cymer曾经承诺在2012年底时提供100瓦光源。但是至今Cymer在实验室里能提供40-50瓦光源。　　Chen说，可能是EUV光源的内部件出现故障，即集光镜。此类EUV光源是基于激光型plasma（LPP）技术。在LPP中由激光脉冲产生的等离子体射中靶子。光源也利用一种

4、pre-pulselaser和一种主振功率放大器（MOPA）来邦助提高光源的功率。　　当一个55瓦光源可使EUV光刻机的硅片通过量达到每小时43片，显然从产业角度至少需要80瓦光源，而且能稳定连续的工作。因为当光源功率在80瓦时可以每小时58片。ASML的计划在2015年时光源功率能达到250瓦，可实现每小时126片。