sigehbt电子辐照效应的退火研究

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1、SiGeHBT器件电子辐照的退火效应研究学生：XXX指导教师：XXX摘要本文主要研究对SiGeHBT器件进行电子辐照后的退火效应。对于双极型晶体管，电流增益是其电性能参数中的关键参数，电流增益的衰减是双极型晶体管最显著同时也是最典型的辐射损伤效应。通过电子静电加速器对器件进行电子辐照，电流增益随着辐照剂量的增加而减小。在辐照试验完成后，对SiGeHBT器件进行室温退火，通过测试器件的输出特性来研究电流增益随退火时间的变化规律。退火实验结果表明，SiGeHBT器件电性能随着退火时间的增加而逐渐恢复。关键词SiGeHBT电子辐照电流增益退火效应Annealingeffe

2、ctofelectronirradiationontheSiGeHBTdevicesProfessionalMicroelectronicsStudent:XXXXXXAdviserXXXXAbstractThispaperstudiestheeffectofannealingSiGeHBTdevicesafterelectronirradiation.Forthebipolartransistor，theelectricalpropertiesofthecurrentgainparameterisakeyparameter,thecurrentgainoftheb

3、ipolartransistorisattenuatedsignificantlybutalsothemosttypicalradiationdamageeffects.Electronicdeviceselectrostaticacceleratorforelectronirradiation，thecurrentgainwithincreasingradiationdoseincreases.AftercompletionofthetestirradiationofSiGeHBTdevicesatroomtemperatureannealing，theoutpu

4、tcharacteristicsofthetestdevicetostudythecurrentgainvariationwithannealingtime.Experimentalresultsshowthattheannealing，SiGeHBTdeviceelectricalperformancewithincreasingannealingtimeandgraduallyrestored.KeywordSiGeHBT;Electronirradiation;CurrentGain;Annealingeffect目录J商要oAbstract1雜31.1课题背

5、景和意义31.2SiGcIIBT技术发展及优势3第二章实验原理42.1空间辐射环境42.2辐照损伤原理52.3电子辐照退火效应机理6第三章实验器件及试验方法73.1试验器件73.2辐照实验和试验方法9第四章实验数据分析与讨论94.1实验数据分析94.2实验结果讨论16缙论17#教献17醐18第一章绪论1.1课题背景和意义随着现代通信业的巨大发展，人们对于低成木，高性能与高集成度的制备工艺需求很强烈，使得市场对丁高性能射频和微波器件的这种具有上述优点的制备技术的强烈需求,设计与射频芯片相关的技术就显得非常迫切的

6、6］。当前材料射频/微波元件主要是砷化镓为基础的，其次是

7、硅锗。然后，为Y从相同的功率增益上来看，CMOS的功耗是很大的，和GaAs的转换效率相对较高;然而SiGe技术与Si工艺具有着极高兼容性［3:。但在硅技术中的技术或制造设备的制备方法上，艽产量方面远远优于GaAs技术。GaAs材料具有非常高的工作频率，并且功耗低以及性能稳定。但是GaAs材料不仅价格很高，而且生产的设备又不同于成熟的Si工艺设备，使得其成木耍远远高于Si器件。而SiGe技术则兼有GaAs高频，低功耗和Si材料低成本的优点。我们从材料的特性來看的话，SiGe高频特性良好，材料安全性也很好［7］;从性能上来说的话，SiGe也具有功耗小、截止频率高的优点；

8、而同吋由于与成熟的硅工艺兼容，其集成度也相当的高。由于在无线通信领域的极大优势，现在的SiGe技术主要应用的产品冇移动电话和无线网络等［3］。由于现在人们对于智能手机需求量巨大，以及其更新换代的周期极短，使得SiGe技术应用前景广阔，因此这是一个极大的市场。现在市场上的SiGe种类不多，数量也很少，但由于其应用趋势我们可以推断其未來必冇非常大的发展空间。H前的SiGe技术除了HBT外，还包括HEFT（HeterojunctionFieldEffectTransistor）,QuantumWells以及Optoelectronics等，而SiGeHBT由子可以广泛