半导体存储器(2)

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1、第七章半导体存储器存储器——用以存储二进制信息的器件。半导体存储器的分类：根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类：（1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。（2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。存储器的容量：存储器的容量=字长（n）×字数（m）一．RAM的基本结构由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。7.1随机存取存储器（RAM）1.存储矩阵图中，1024个字排列成3

2、2×32的矩阵。为了存取方便，给它们编上号。32行编号为X0、X1、…、X31，32列编号为Y0、Y1、…、Y31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。2．地址译码器——将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。采用双译码结构。行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1、…、A4，输出为X0、X1、…、X31；列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31，这样共有10条地址线。例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线X1＝1、列选线

3、Y0＝1，选中第X1行第Y0列的那个存储单元。3．RAM的存储单元例.六管NMOS静态存储单元4.片选及输入/输出控制电路当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作；当CS＝0时，芯片被选通：当＝1时，G5输出高电平，G3被打开，于是被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；当＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。二.RAM的工作时序（以写入过程为例）读出操作过程如下：（1

4、）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）加入有效的选片信号CS；（3）将待写入的数据加到数据输入端。（3）在线上加低电平，进入写工作状态；（4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。三．RAM的容量扩展1．位扩展用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。2．字扩展用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。RAM的芯片简介(6116)6116为2K×8位静态CMOSRAM芯片引脚排列图：A0～A10是地址码输入端，D0～D7是数据输出端，是选片端，是输出使能端，是写入控制端。（2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全

5、为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。7.2只读存储器(ROM)一．ROM的分类按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种：（1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。（3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。（5）快闪存储器（FlashMemory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100次以上。（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但

6、是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。二．ROM的结构及工作原理1.ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成。2.ROM的基本工作原理：由地址译码器和或门存储矩阵组成。例：存储容量为4×4的ROM二极管固定ROM举例（1）电路组成：由二极管与门和或门构成。与门阵列组成译码器，或门阵列构成存储阵列。（2）输出信号表达式与门阵列输出表达式：（3）ROM存储内容的真值表或门阵列输出表达式：1.作函数运算表

7、电路【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。三．ROM的应用【解】（1）分析要求、设定变量自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。（2）列真值表—函数运算表Y7=m12+m13+m14+m15（3）写标准与或表达式Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14