存储器2半导体M（06级）.ppt

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1、第二节半导体存储器工艺双极型MOS型TTL型ECL型速度很快、功耗大、容量小电路结构PMOSNMOSCMOS功耗小、容量大工作方式静态MOS动态MOS存储信息原理静态存储器SRAM动态存储器DRAM（双极型、静态MOS型）：依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。（动态MOS型）：依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。（静态MOS除外）4.2.1静态MOS存储单元与存储芯片1.六管单元（1）组成T1、T3：MOS反相器Vcc触发器T3T1T4T2T2、T4：MOS反相器T5T6T5、T6：控制门管ZZ：字线，选择存储单元位线，完

2、成读/写操作WWW、W：（2）定义“0”：T1导通，T2截止；“1”：T1截止，T2导通。（3）工作T5、T6Z：加高电平，高、低电平，写1/0。（4）保持只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。VccT3T1T4T2T5T6ZWW导通，选中该单元。写入：在W、W上分别加读出：根据W、W上有无电流，读1/0。Z：加低电平，T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。2.存储芯片例.SRAM芯片2114（1K×4位）外特性：静态单元是非破坏性读出，读出后不需重写。地址端：2114（1K×4）191018A6A5A4A3A0A1A2CSGNDVccA7

3、A8A9D0D1D2D3WEA9～A0（入）数据端：D3～D0（入/出）控制端：片选CS=0选中芯片=1未选中芯片写使能WE=0写=1读电源、地4.2.2动态MOS存储单元与存储芯片1.四管单元（1）组成T1、T2：记忆管C1、C2：柵极电容T3、T4：控制门管Z：字线位线W、W：（2）定义“0”：T1导通，T2截止“1”：T1截止，T2导通T1T2T3T4ZWWC1C2（C1有电荷，C2无电荷）；（C1无电荷，C2有电荷）。（3）工作Z：加高电平，T3、T4导通，选中该单元。2.单管单元（1）组成（4）保持T1T2T3T4ZWWC1C2写入：在W、W上分别加高、低电平，写1/0。读出：W、

4、W先预充电至再根据W、W上有无电流，高电平，断开充电回路，读1/0。Z：加低电平，T3、T4截止，该单元未选中，保持原状态。需定期向电容补充电荷（动态刷新），∴称动态。四管单元是非破坏性读出，读出过程即实现刷新。C：记忆单元CWZTT：控制门管Z：字线W：位线3.存储芯片（2）定义（4）保持写入：Z加高电平，T导通，在W上加高/低电平，写1/0。读出：W先预充电，根据W线电位的变化，读1/0。断开充电回路。Z：加低电平，T截止，该单元未选中，保持原状态。单管单元是破坏性读出，读出后需重写。“0”：C无电荷，电平V0（低）CWZT外特性：“1”：C有电荷，电平V1（高）（3）工作Z加高电平，T

5、导通，例.DRAM芯片2164（64K×1位）地址端：2164（64K×1）18916GNDCASDoA6A3A4A5A7A7～A0（入）数据端：Di（入）控制端：片选写使能WE=0写=1读电源、地空闲/刷新DiWERASA0A2A1Vcc分时复用，提供16位地址。Do（出）行地址选通RAS列地址选通CAS：=0时A7～A0为行地址高8位地址：=0时A7～A0为列地址低8位地址1脚未用，或在新型号中用于片内自动刷新。4.2.3半导体存储器逻辑设计需解决：芯片的选用、例1.用2114（1K×4）SRAM芯片组成容量为4K×8的存储器。地址总线A15～A0（低）,双向数据总线D7～D0（低）,读

6、/写信号线R/W。给出芯片地址分配与片选逻辑,并画出M框图。1.计算芯片数动态M的刷新、（1）先扩展位数，再扩展单元数。主存的组织涉及：主存的校验。地址分配与片选逻辑、信号线的连接。2片1K×41K×84组1K×84K×88片M的逻辑设计、存储器寻址逻辑2.地址分配与片选逻辑（2）先扩展单元数，再扩展位数。4片1K×44K×42组4K×44K×88片芯片内的寻址系统(二级译码)芯片外的地址分配与片选逻辑为芯片分配哪几位地址，以便寻找片内的存储单元由哪几位地址形成芯片选择逻辑，以便寻找芯片存储空间分配：4KB存储器在16位地址空间（64KB）中占据任意连续区间。64KB1K×41K×41K×4

7、1K×41K×41K×41K×41K×4需12位地址寻址：4KBA15…A12A11A10A9……A0A11～A0000……0任意值001……1011……1101……1010……0100……0110……0111……1片选芯片地址低位地址分配给芯片，高位地址形成片选逻辑。芯片芯片地址片选信号片选逻辑1K1K1K1KA9～A0A9～A0A9～A0A9～A0CS0CS1CS2CS3A11A10A11A10A11A1