重庆理工大学材料科学基础试卷2007a

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1、重庆工学院考试试卷2007-2008学年第一学期班级学号姓名考试科目共3页密封线学生答题不得超过此线题号—二—四总分总分人分数一、填空(每空1分,共40分)得分评卷人1、结合键中属于化学键的有、、,属于物理键的有,O2、品体和非品体的主耍区别在丁,在力学性能上非品体呈现o加热时品体往往有确定的O3、间隙原子溶入体心立方品格时优先进入间除溶入面心立方品格时优先进入间隙。面心立方的致密度是,体心立方的致密度是,密排六方的致密度为。4、空位主要有空位、空位,温度增加点缺陷密度o5、柏氏矢量与位错线垂直,则该位错为位错,其位错线和品体滑动的方向。只有才能进行攀移。位错能够反应需要满足条件和条件

2、。6、根据品粒的位向差品界分为品界和品界,其中界面能较高的为。7典型的硅酸盐结构按照空间组合情况分为、、、O8、金属结品时非均匀形核比均匀形核的形核功,比均匀形核的临界品核半径。非均匀形核结晶后得到的组织更,力学性能更。9、复合材料按照复合效果分为和,按照基体类型分为、、和,其中中加入增强体的作用主要是增韧,C/A1表示o10、恒压条件下相律表示为o二、名词解释(每个4分,共16分)得分评卷人晶胞塞积品粒度上坡扩散三、问答题(共26分)得分评卷人1、珠光体转变属于固态相变的哪一种类型,得到的组织有什么特点?(4分)2、什么是枝晶偏析?对性能有什么影响,牛产中如何消除。(6分)3、金属铸

3、件能否通过再结晶退火来细化晶粒?为什么?比较再结晶和二次再结晶的异同?(6分)4、标注晶面指数和晶向指数(6分)晶面:ABGH、CHF、ADEH晶向:DB、GA、HBC四、分析、计算题(共18分)得分评卷人1、已知纯铜单品体受到[001]品向上的外力2.45Mpa作用时(111)面上的[101]品向产生滑移,计算纯铜的临界切应力。(4分)2、绘岀铁碳合金相图(6分),含Fe3CII最多的合金含碳量是多少?(1分)计算其组织组成物和相组成物相对含量(6分),画出合金室温下平衡组织示意图(1分)。(共14分)2007-2008材料科学基础A卷答案要点、填空(每空1分,共40分)1、金属键,

4、离子键,共价键,氢键,分子间力(范德华力)2、原子排列的规律性上,各向异性,熔点。3、四面体,八面体,0.74,0.68,0.74o4、肖脱基,弗兰克,增加。5、刃型,垂直,刃型,几何条件,能量条件。6、大角度,小角度,大角度晶界。7、岛状,链状,层状,骨架状。8、小(低),一样大,细小,好。9、结构复合材料,功能复合材料,陶瓷基复合材料,金属基复合材料,聚合物基(树脂基)复合材料,陶瓷基复合材料,碳纤维增强铝基复合材料。10、f-c_p+lo二、名词解释(每个4分,共16分)晶胞:晶格中反应晶体结构特征的最小几何单元。塞积:沿着滑移面运动的位错遇到障碍物形成位错被堵塞,位错运动受阻的

5、现象。晶粒度:表征晶粒大小的指标,通常用晶粒的平均面和和平均直径表示。上坡扩散:原子由低浓度处向高浓度处扩散的现象。三、问答题(共26分)1、(4分)答:珠光体转变属于固态相变中的扩散型相变,得到层片状的铁素体和渗碳体组成的组织(2分),织具有较高的强度和一定的韧性,并且随着层片间距的缩小,其力学性能越好。(2分)2、(6分)答:固溶体以树枝状进行的不平衡结晶过程中,液相中先后结晶出来的固相成分不同,使得树枝状晶粒内部化学成分不均匀的现象称为枝晶偏析。(2分)具有枝晶偏析的合金,其塑性、韧性下降,容易引起晶内腐蚀,降低合金的耐蚀性,给热加工带来困难。(2分)生产中采用均匀化退火(扩散退

6、火)消除枝晶偏析。(2分)3、(6分)答:不能,因为金属的铸件当中没有大量的点阵畸变,不存在再结晶的驱动力,因此不能。(2分)二者相比,驱动力不同,结晶后的组织不同,再结晶后的组织细小,均匀,二次再结晶后的组织由少量的非常粗大的组织。二者性能不同,再结晶后的组织力学性能均匀,强度较高。二次再结晶的组织降低了材料的强度、塑性,使力学性能下降。相同点:二者组织当中没有加工硬化和残余应力。(4分)4、(6分)答:晶面:ABGH-(-101),CHF—(1-11),.4DEH—(010)晶向:DB—[110],GA——[1-11],HB—[111]5、(4分)答:P点:20%A+40%B+40

7、%C,0点:40%A+20%B+40%C。(2分)0点组织(A+B+C)共晶。(2分)四、分析、计算题(共18分)1、(4分)答:根据题意可知,屈服应力为2.45Mpa,[001]晶向上和(111)法线夹角的余弦为1/1.732[001]和[101]夹角的余弦为0.707m二cos入cos4)=1/7273=1/76=0.41o临界切应力为:tk=osX0.41=lMpa2、(共14分)答:1—TLN、、一

8、/>y1148。、IFZ2.11C

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