业界多估NAND Flash价格先降后升，DRAM 热度可望延续.doc

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1、业界多估NANDFlash价格先降后升，DRAM热度可望延续　　2017年，整体记忆体产业不论DRAM或NANDFlash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢？　　综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3DNAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想，最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。　　　　DRAM无新增产能　　首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就是制程从2X奈米推进到1

2、X奈米或是1Y奈米，带动位元的成长。市调单位集邦科技更直接表示，2018年各DRAM厂资本支出计画都倾向保守，新增投片量约5～7％，这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。　　此外，集邦也提到，随着智能手机记忆体容量升级，以及伺服器、资料中心需求强劲，2018年DRAM需求将成长约20.6％，供给端方面，预估将提升19.6％，为此，就整体面来看，2018年整体DRAM产业供需持续吃紧无虞，也因此，2018年各大DRAM厂商，包括三星、SK海力士、美光，甚至是台湾的南亚科、华邦电持续稳健获利不成问题。　　但目前在DRAM端有两点要留意与观察，第一、虽然2018年整体DRA

3、M端无新增Fab的产能出来，但是三星有意在平泽（Pyeongtaek）兴建第二座12吋厂，SK海力士也将在无锡兴建第二座12吋厂，这两大厂的新厂产能最快2019年才会开出。　　只是韩媒持续报导，三星将在DRAM端持续扩大产出的消息，不断动摇市场对DRAM产业的信心。韩媒不断提到，三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑，二楼无尘室将近完工，这些空间将投入DRAM的扩建，但根据记忆体业者的透露，这两层楼中，有一层是投入3DNAND的扩产，至于另外一层楼中，有意置入月产能五万片的DRAM产线，只是设备商也透露，三星还没下单采购设备，因此所谓新增五万片的DRAM产能想在2018年就开出，真的

4、很困难。　　伺服器记忆体合约价续涨　　第二个观察点是，DRAM种类繁多，包括Commodity、Specialty、Mobile、Server等DRAM，因为彼此间有产能排挤效应，究竟在2018年，哪几种会最缺，价格涨幅最大，市况还不明朗，因为国际三大DRAM厂，三星、SK海力士与美光，尚未揭露2018年的产品组合。　　但市调单位集邦科技已经提前预测，2018年最缺的会是ServerDRAM。集邦认为，资料中心的伺服器需求与日俱增，2018年伺服器记忆体的成长率将达28.6％，续居记忆体各大产品线之首，带动价格上涨，主要原因包括第一、Intel与AMD新伺服器平台转换推波助澜，以及

5、第二、北美网络服务业者如Google、AmazonWebService、Facebook与MicrosoftAzure在新资料中心建案上的需求。　　而光是2018年第一季，伺服器记忆体合约价将再上涨约5～8％，届时主流模组报价方面，一线厂32GB伺服器模组将达300美元大关，二线厂更会高于此价格，使得2018年第一季度价格将会维持在相对高点。　　2018年NAND产业怎么看？业界多估「先下后上」，而与NAND产业连动性最高的群联董事长潘健成估第一季价跌需求增，第二季报价回稳，第三季供不应求。而其实，因3DNAND良率终于快速上升，尤其64/72层3DNAND纷纷量产，并已优先应用于

6、SSD产品线，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年初的起涨价，通路商开始大举抛货，报价下看30美元。